Площадь - переход
Cтраница 1
Площадь перехода, толщина базы, а также габариты, вес и конструкция диода определяются рабочим током и рассеиваемой мощностью. У мощных выпрямительных диодов площадь перехода достигает 1 см2, а у маломощных выпрямительных - в десятки и сотни раз меньше. [1]
А - площадь перехода; х - эффективная толщина, которая принимает различный вид в зависимости от времени жизни неосновных носителей, толщины области материала с большим временем жизни носителей и мощности дозы ионизирующего излучения. [2]
А - площадь перехода; Fp - внутренний ( диффузионный) потенциал; Л 0 - полная концентрация ионизованных ловушечных уровней в обедненном слое. [3]
 |
Распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии ( а. исходная пластина германия я-типа ( б. получение кристалла транзистора ( в. [4] |
При увеличении площади переходов ( для мощных транзисторов) неравномерность вплавления возрастает и базу приходится делать еще толще, что ухудшает частотные свойства транзистора. [5]
При уменьшении площади эмит-терного перехода оптимальный ток снижается. Для повышения рабочего тока ( или граничной частоты при заданном токе) следует увеличивать концентрацию доноров в коллекторе и уменьшать толщину высокоомного коллекторного слоя W, расположенного между коллекторным переходом и подложкой. Тогда снижаются также постоянная времени г Скбар, толщина коллекторного перехода и время пролета через него, что в свою очередь ведет к повышению граничной частоты. Однако при этом уменьшается напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода, поэтому нельзя допустить, чтобы толщина WK была меньше толщины обедненного слоя этого перехода. [6]
Здесь А - площадь перехода; а, - собственная проводимость; ап - проводимость электронной части перехода; Dp - коэффициент диффузии дырок; 8 - толщина кристалла или толщина инверсионного слоя в случае его образования на поверхности. [7]
 |
Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения 6 I. [8] |
В зависимости от площади перехода С6 может быть от единиц до сотен пикофарад. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб уменьшается. Как видно, под влиянием напряжения и0бр емкость Се изменяется в несколько раз. [9]
Она зависит от площади перехода П и концентрации примеси в базе диода Nn и практически может лежать в пределах от единиц пико-фарад до десятых долей микрофарада. [10]
С позволяет исключить площадь р-п перехода и в то же время сохранить вид зависимости плотности тока от физических параметров материала. [11]
При значительном увеличении площади переходов в базе может появиться радиальное поле, вызывающее снижение коэффициента передачи тока эмиттера. [12]
Для приборов с малой площадью переходов хорошее смачивание достигается и без применения давления. Так как объем расплава при этом мал, то силы поверхностного натяжения ограничивают смачивание в необходимых пределах. [13]
Германиевый плоскостной диод с площадью р-п перехода 1 мм2 имеет сопротивление рр 0 1 Ом-см в р-области и р 2 Ом-см в - области. [14]
Неоднородность распределения плотности тока по площади перехода связана с неодновременностью включения отдельных участков перехода и возникает не только при включении структуры, но и при любом относительно быстром изменении анодного тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4