Площадь - переход
Cтраница 4
Барьерные емкости истокового Сип и стокового Ссп переходов определяются площадями переходов и концентрацией примесей в подложке. Для снижения этих емкостей подложка должна быть слаболегированной, а длина областей истока, стока ( в направлении канала) - минимальной. Целесообразно также подавать отрицательное напряжение на подложку. [46]
При желании повысить мощность планарного транзистора в принципе следует увеличивать площадь перехода эмиттер - база; для этого можно также увеличить площадь контакта между этими двумя зонами, сделав эмиттер не в виде маленькою круга, а в форме звезды или замкнутой ломаной линии. [47]
В этом случае обратный ток будет равномерно распределяться по всей площади перехода и прибор сможет рассеивать в объеме значительные мощности. [48]
Использование германия р-типа, обладающего меньшим сопротивлением, и увеличение площади перехода несколько ухудшают частотные свойства таких приборов. [49]
Иногда в качестве дополнительных условий вводятся ограничения на допустимые значения площадей р-п переходов. [50]
Концентрация неосновных носителей заряда т0 на границе эмиттера одинакова по всей площади перехода, так как она зависит от напряжения на переходе. [51]
 |
Структура твердотельного конденсатора.| Эквивалентная схема интегрального конденсатора. [52] |
Емкость конденсатора, образованного р - / г-переходом, зависит от площади перехода и ширины запирающего слоя, а следовательно, от степени легирования и градиента концентрации примесей. Кроме того, как нам уже известно, величина барьерной емкости р-д-перехода зависит от величины приложенного напряжения. [53]
Малые размеры диода ( ширина р-п перехода 10 6 см и площадь перехода 10 - 5 см2) приводят к сильному влиянию неоднородн остей в переходе на вольт амперную характеристику прибора. Особенно сильно сказывается местное увеличение напряженности электрического поля, которое может привести к протеканию тока в какой-то одной или немногих точках перехода. [54]
 |
Меза-днод с диффузионным р-п переходом. [55] |
Меза-структура ( рис. 2 - 5) отличается тем, что площадь р-п переходов, находящихся в бугорке, резко уменьшена. [56]
Малые размеры диода ( ширина р-п перехода 10 - 6 см и площадь перехода 10 - 5 см2) приводят к сильному влиянию неоднородностей в переходе на вольтамперную характеристику прибора. Особенно сильно сказывается местное увеличение напряженности электрического поля, которое может привести к протеканию тока в какой-то одной или немногих точках перехода. Удовлетворительной теории туннельного диода пока не имеется, и ее создание является очередной задачей. [57]
Необходимо также отметить, что емкость р - п перехода зависит от площади перехода. [58]
Здесь ft, е - диэлектрические проницаемости кремния и вакуума, А - площадь перехода, q - заряд электрона, Na, Nj - концентрации акцепторов в р-базе и доноров в n - базе; R - постоянная, определяемая свойствами структуры и ее геометрией. [59]
Барьерная емкость зависит от удельного сопротивления и подвижности носителей, от толщины и площади перехода и напряжения на нем. [60]
Страницы: 1 2 3 4