Площадь - переход
Cтраница 3
Тем не менее можно без увеличения площади перехода пропускать относительно большие токи ( достигающие нескольких сотен миллиампер и даже нескольких ампер); такой результат достигается удлинением контактной линии между зонами эмиттера и базы. Для этого с помощью соответствующих масок эмиттеру придают более или менее причудливую форму. [31]
Отсюда следует, что барьерная емкость пропорциональна площади перехода П и возрастает при увеличении концентрации примесей. [32]
Однако в лавинных вентилях обратный ток по площади р-п перехода распределяется равномернее, чем в обычных вентилях, и поэтому в таких вентилях может выделяться значительно ( в тысячи раз) большая энергия. Эта энергия примерно равна той, которую вентиль способен рассеивать при прохождении прямого тока. [33]
Развитие пробоя происходит не одновременно по всей площади р-п перехода, а в отдельных микроплазмах. Это вызывает дополнительную нестабильность М и увеличивает шумы. Перечисленные недостатки в сочетании с разбросом параметров у отдельных образцов ограничивают применение лавинных фотодиодов. [34]
Ферми подложки; SH, SG - площади р-п переходов областей истока и стока соответственно. [35]
Емкость конденсатора, образованного р-л-переходом, зависит от площади перехода и ширины запирающего слоя, а следовательно, от степени легирования и градиента концентрации примесей. Величина зарядной емкости р-л-перехода изменяется с приложенным напряжением. В большинстве случаев для создания конденсаторов не требуется дополнительных технологических операций, поскольку используются те же переходы, что и в транзисторной структуре. [36]
В отличие от рассмотренных сечений при изменении t площадь перехода газа из пены в состав свободного объема постоянна и имеет максимальное абсолютное значение. [37]
На высоких частотах нельзя повысить добротность Q увеличением площади перехода S, так как емкость перехода пропорциональна S, а сопротивление rs обратно пропорционально площади перехода. [38]
Яро - равновесные концентрации неосновных носителей; s - площадь перехода. [39]
 |
Зависимость постоянного джозефсоновсного тока от иагнитного поля в переходе РЬ-I-РЬ ори 1 3 К. [40] |
Полный поток получается при интегрировании плотности тока по всей площади перехода. [41]
Требование больших величин прямых токов при-юдит к необходимости увеличивать площадь перехода и улучшать - еплоотвод. Увеличение площади также способствует уменьшению Съемного сопротивления полупроводника, которое в основном оп -) еделяет прямое сопротивление диода. При использовании высокоом-шх материалов это обстоятельство является весьма существенным. [42]
Яро - равновесные концентрации неосновных носителей; s - площадь перехода. [43]
 |
Структура тиристоров. [44] |
Высокое быстродействие переключающих диодов определяется малой шириной базы и площадью переходов временем жизни и подвижностью неосновных носителей, величиной объемного заряда коллекторного перехода. [45]
Страницы: 1 2 3 4