Площадь - переход
Cтраница 2
 |
Принцип устройства плоскостных германиевых диодов, изготовленных сплавным ( а и диффузной - ным ( б методами. [16] |
Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более. Поэтому их применяют на частотах не выше десятков килогерц. Допустимый ток в плоскостных диодах бывает от десятков миллиампер до сотен ампер и больше. [17]
 |
Эквивалентная схема усилителя / С. [18] |
Св-диффуви-онная емкость, отнесенные к площади перехода. [19]
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. [20] |
Тепловой ток коллектора, пропорциональный площади перехода доходит у мощных транзисторов до десятков миллиампер. С прибли жением напряжения к максимально допустимой величине теплово. [21]
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [22] |
Тепловой ток коллектора, пропорциональный площади перехода, доходит у мощных транзисторов до десятков миллиампер. С приближением напряжения к максимально допустимому значению тепловой ток увеличивается в несколько раз в связи с возрастающей ролью термогенерации и ударной ионизации в переходе, а также саморазогрева. [23]
 |
Статическая характеристика детекторного диода. [24] |
Количественные различия связаны с меньшими площадью перехода и временем жизни. [25]
Так как площадь дефекта много меньше площади перехода, то можно сделать вывод, что дефект характеризуется не только пониженным напряжением пробоя, но и значительно более высокой скоростью генерации-рекомбинации электронов и дырок в слое объемного заряда по сравнению с обычным р-п переходом. [26]
Высокочастотные и импульсные диоды Шоттки имеют площадь перехода менее 20 - 30 мкм2, емкость распределенное сопротивление базы г ( ных носителей заряда и связанного с ними накопления неравновесного заряда в базе существенно повышает быстродействие импульсных металлополупроводниковых диодов. [27]
 |
Конструкция вентиля ВКДУ.| Применение четы. [28] |
Вентили Д235 и Д238 отличаются размерами площадей переходов. [29]
 |
В пленарном транзисторе можно пропускать относительно большие токи, удлиняя контактную линию между зонами эмиттера и базы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4