Площадь - коллекторный переход
Cтраница 1
Площадь коллекторного перехода должна быть значительно большей, чем эмиттерного. [1]
Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмиттерного перехода. [2]
Ограничить площадь коллекторного перехода можно и другим способом - выделяя соответствующие островки ( рис. XIII. Овальная канавка, ограничивающая площадь коллекторного перехода, протравливается с помощью методов фотолитографии. Данная транзисторная структура является вариантом меза-структуры. [3]
Уменьшение площади коллекторного перехода ( при заданной полной площади эмиттеров), необходимое для снижения его барьерной емкости, в многоэмиттерном транзисторе ограничено ростом теплового сопротивления между кристаллом и корпусом. Это противоречие устраняется в многоструктурных транзисторах, представляющих собой матрицу отдельных параллельно соединенных транзисторов, изготовленных на одном кристалле. [4]
Кроме того, площадь коллекторного перехода ( см. рис. 3.1) значительно больше, чем эмит-терного. [5]
Основная особенность мезатранзисторов заключается в значительно уменьшенной площади коллекторного перехода по сравнению со сплавными транзисторами и, следовательно, уменьшенной емкости коллекторного перехода. [6]
 |
Построение гиперболы максимальной потребляемой мощности. [7] |
С - емкость коллектор-база ( пропорциональная площади коллекторного перехода), Е р - Ю5В / см - пробивная напряженность поля, 6 - 106см / с - скорость насыщения дрейфа носителей заряда. [8]
Величину С можно уменьшать за счет уменьшения площади коллекторного перехода, но это приводит к снижению допустимой мощности, рассеиваемой в транзисторе. Физическая картина влияния сопротивления го на частотные свойства транзистора следующая. [9]
В качестве величины SK принимают обычно не всю площадь коллекторного перехода, а только ее часть, ограниченную активной частью базы: SK sa, где sa - площадь эмиттерного перехода. [10]
Это явление приводит к резкой неоднородности выделения мощности по площади коллекторного перехода, сосредоточению ее на малых участках, температура которых резко повышается. В таких условиях в области повышенной плотности эмиттерного тока индиевый сплав нагревается и даже расплавляется. Тепло Пельтье, выделяющееся на границе жидкий индий - германий, способствует растворению германия в жидкой фазе индия. Фронт жидкой фазы продвигается вдоль области повышенной плотности тока через рекристаллизованный слой эмиттера и область базы к коллектору. После прохождения жидкой фазы в базе остается рекристаллизованный германий р-типа. При достижении жидкой фазой области коллектора последний оказывается закороченным с эмиттером, и транзистор выходит из строя. [11]
Но в соответствии с собирательной ролью коллектора при изготовлении триода площадь коллекторного перехода р-п делается больше площади эмиттерного перехода ( рис. 12 - 11), что соответственно нарушает симметрию прибора. [13]
 |
Вольтамперные характеристики германиевого фотодиода.| Зависимость чувствительности фотодиода от положения светового пятна относительно плоскости перехода. [14] |
В обычных сплайных конструкциях этого не удается достичь, так как значительная часть площади коллекторного перехода затеняется эмиттером. [15]
Страницы: 1 2 3 4