Площадь - коллекторный переход
Cтраница 2
Как указывалось, при изготовлении транзистора базу делают тонкой и бедной основными носителями, а площадь коллекторного перехода - в несколько раз большей площади эмиттерного. При этом, как показано на рис. 4.3, на коллектор попадает большинство инжектируемых дырок, движущихся под действием диффузии в направлении уменьшения своей концентрации. [17]
Для получения малых емкостей коллекторного перехода при высокой концентрации примесей в базе и малых рабочих напряжениях площадь коллекторного перехода приходится уменьшать до минимума. В результате допустимые мощности рассеивания на коллекторе оказываются очень небольшими, порядка 25 - 50 мет. [18]
Поверхностно-барьерный транзистор представляет собой высокочастотный прибор, в котором повышение рабочих частот достигается уменьшением толщины базы и площади коллекторного перехода. Изготовляется поверхностно-барьерный триод следующим образом. Тонкая пластинка германия л-типа с высоким содержанием донорных примесей, необходимых для получения малых величин г6, подвергается электрохимическому травлению струйками электролита. [19]
Более правильно сравнивать отношение периметра эмиттера к площади структуры в транзисторах, имеющих примерно одну и ту же площадь коллекторного перехода, однако мы здесь воспользовались этим критерием, так как в данном случае сравниваемые транзисторы не сильно различаются по максимальному току и отношение периметра эмиттера к площади структуры позволяет оценить сравнительную сложность изготовления рассматриваемых транзисторов. [20]
 |
Пленарный п-р-я-транзистор. [21] |
Из рис. 4.10 ясно, что планарный транзистор имеет резко асимметричную структуру: площадь эмиттерного перехода в несколько раз меньше площади коллекторного перехода. [22]
Преимущества конструкции транзистора такого типа перед обычным сплавным транзистором, имеющим толщину базы W, очевидны: при той же толщине базы и площади коллекторного перехода данный триод будет иметь значительно более высокие рабочие напряжения и меньшую емкость коллектора. [23]
Однако для лучшего улавливания неосновных носителей и повышения коэффициента а в активном режиме транзистор делают заведомо несимметричным. Площадь коллекторного перехода превышает площадь змиттерного перехода. В этом случае условия передачи неосновных носителей при движении их через базу от коллектора к эмиттеру иные: в силу малой площади эмит-терного перехода значительная часть неосновных носителей не попадает в эмиттерную область ( рис. 3.14), а-рекомбинирует в толщине базы. [24]
 |
Возможные варианты использования электронно-дырочных перекодов транзисторной структуры в качестве диода ( а и их эквивалентные. [25] |
Если же эмиттерная область сформирована, то цепь эмиттера остается разомкнутой. Площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, поэтому использование коллекторного перехода в качестве диодной структуры дает возможность пропускать большие прямые токи. [26]
Если же эмиттер-ная область сформирована, то цепь эмиттера остается разомкнутой. Площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, поэтому использование коллекторного перехода в качестве диодной структуры дает возможность пропускать большие прямые токи. [27]
SK - площадь коллекторного перехода; 10ск - ширина коллекторного перехода, определяемая выражением (2.5), в котором ф0 следует заменить на ФОК КБ. [28]
 |
Технология изготовления меза-дйффу-зионно-еплавного транзистора. [29] |
Метод выделения коллекторного перехода в этой технологии основан на том, что в пластине германия р-типа ультразвуковым долблением создают лунку. Размер лунки определяет площадь коллекторного перехода. Но ультразвуковым долблением получают неудовлетворительные лунки. Глубина их неодинакова по всей площади пластины, дно неплоское и имеет большой нарушенный слой. [30]
Страницы: 1 2 3 4