Cтраница 4
Относительно величины а0 следует сказать, что полагая у0 1 и определяя р0 из соотношения (VI.8), мы должны будем предположить, что с уменьшением толщины базы W величина 0 будет неограниченно стремиться к единице. Это будет действительно справедливо для плоского одномерного случая. Реальный триод, например сплавной биполярный транзистор, представленный схематически на рис. VI.6, будет иметь конечные размеры эмиттера и коллектора. Если площадь коллекторного перехода выбрана больше площади эмиттерного перехода, то основное количество дырок достигнет коллекторного перехода. Однако та часть дырок, которая была инжектирована с краев эмиттерного перехода, будет двигаться не в направлении к коллектору, а в глубь объема германия или даже в сторону поверхности кристалла, прилежащей к эмиттерному переходу. [46]
Достигнуты значительные успехи в создании транзисторов для более высоких частот. Применению плоскостных транзисторов на повышенных частотах препятствуют инерционность диффузионного процесса перемещения носителей через базу и влияние емкости коллекторного перехода. Поэтому для повышения предельной рабочей частоты необходимо уменьшать толщину базы, ее сопротивление и площадь коллекторного перехода. Однако в этом встречаются большие трудности и противоречия. Например, уменьшение толщины базы и площади коллекторного перехода приводит к увеличению сопротивления базы и снижению допустимой нагрузки транзистора по току и мощности. [47]
Зб) получено для одномерной модели, то оно будет справедливо для триодов, у которых площадь эмиттера равна площади коллектора. Мы предполагали, что каждой точке коллекторного перехода на расстоянии Wo противостоит точка эмиттерного перехода. В реальных же случаях эмиттерный переход может покрывать всего лишь 1 / 4 площади коллекторного перехода. [48]