Площадь - коллекторный переход
Cтраница 3
Ограничить площадь коллекторного перехода можно и другим способом - выделяя соответствующие островки ( рис. XIII. Овальная канавка, ограничивающая площадь коллекторного перехода, протравливается с помощью методов фотолитографии. Данная транзисторная структура является вариантом меза-структуры. [31]
Таким образом, увеличение концентрации примесей в базе не только увеличивает емкость коллектора, но и ограничивает возможность работы при больших напряжениях на коллекторе. Емкость коллектора можно уменьшить, уменьшив площадь коллекторного перехода, но при этом снижаются допустимые токи и допустимые рассеиваемые мощности. [32]
Из-за низкоомности слоя базы рабочие коллекторные напряжения поверхностно-барьерных триодов не превышают обычно Зч-5 в. При этом для получения малых емкостей коллекторного перехода площадь коллекторного перехода приходится уменьшать до минимума. В результате допустимые мощности рассеяния на коллекторе поверхностно-барьерных триодов оказываются очень небольшими - не более нескольких десятков милливатт. [33]
Улучшению теплоотвода у транзисторов средней и большой мощности уделяется самое серьезное внимание. С этой целью при их изготовлении стараются увеличивать площадь коллекторного перехода, а вывод коллектора припаивать к массивному медному основанию. Для повышения допустимой мощности в 5 - 10 раз применяются радиаторы с ребристой поверхностью или используются металлические шасси. [34]
Таким образом, увеличение концентрации примесей в базе не только увеличивает емкость коллектора, но и ограничивает возможность работы при больших напряжениях на коллекторе. Емкость коллектора может быть уменьшена за счет уменьшения площади коллекторного перехода. Однако при этом снижаются допустимые токи и допустимые рассеиваемые мощности. [35]
Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база, называют эмиттерным, а на границе база - коллектор - коллекторным. Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмит-терного перехода. [36]
Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база, называют эмиттерным, а на границе база - коллектор - коллекторным. Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмит-терного перехода. [37]
Активные паразитные компоненты схемы исключаются соответствующим включением подложки и изолирующих областей резисторов. Свойственные диодным структурам емкости стремятся свести к минимуму, что достигается в диодной схеме выполнением входных диодов с общим коллектором и общей базой. При этом площадь коллекторного перехода сводится к минимуму. Однако в данном случае появляются дополнительные паразитные элементы - торцевые п-р - п транзисторы. [38]
Если для всех этих транзисторов определить отношение периметра эмиттера в сантиметрах к площади коллекторного перехода в квадратных сантиметрах, то мы получим 7 5 IJcM для сплавного прибора, 14 1 / см для обычного меза-планарного и около 350 - 400 1 / см для особо высокочастотного планарного. [39]
 |
Принцип устройства диффузионного транзистора. [40] |
Достигнуты значительные успехи в создании транзисторов для более высоких частот. Применению плоскостных транзисторов на повышенных частотах препятствуют инерционность диффузионного процесса перемещения носителей через базу и влияние емкости коллекторного перехода. Поэтому для повышения предельной рабочей частоты необходимо уменьшать толщину базы, ее сопротивление и площадь коллекторного перехода. Однако в этом встречаются большие трудности и противоречия. Например, уменьшение толщины базы и площади коллекторного перехода приводит к увеличению сопротивления базы и снижению допустимой нагрузки транзистора по току и мощности. [41]
 |
Схема включения транзистора с ОЭ ( а и токораслределение внутри транзистора при нормальном режиме ( б и при. кл О В ( в. [42] |
Выходное напряжение незначительно влияет на входные характеристики транзистора, поэтому их семейство представляет собой узкий пучок, сливающийся в одну кривую. При этом ток во входной цепи значительно возрастает по сравнению с нормальным рабочим режимом ( ЕК б; VK 0), потому что прямой ток базы для данного случая ( икэ 0) проходит через два параллельно включенных перехода: эмиттерный и коллекторный. Коллекторная составляющая прямого тока / кпр, очевидно, будет больше эмиттерной составляющей, так как площадь коллекторного перехода больше эмиттерного. [43]
Термочувствительный параметр - прямое падение напряжения коллектор-база - используется для измерения температуры перехода германиевых и кремниевых, сплавных и диффузионных приборов, имеющих большую постоянную времени тепловой релаксации кристалла. Метод применяется в тех же случаях, где и метод прямого падения напряжения эмиттер - база, при условии равномерного распределения тока по площади коллекторного перехода. При неравномерном распределении температуры по площади коллектора метод дает еще большую ошибку, чем метод прямого падения напряжения эмиттер - база. [44]
 |
Биполярный [ транзистор с конечными размерами эмитте - paj и коллектора. [45] |
Страницы: 1 2 3 4