Площадь - подложка
Cтраница 1
Площадь подложки, необходимую для размещения топологической структуры ИМС, определяют исходя из того, что полезная площадь подложки ( площадь, занимаемая элементами) несколько меньше ее полной площади, что обусловлено технологическими требованиями и ограничениями. [1]
Рассчитывая площадь подложки, необходимую для проектирования толстопленочной БГИС, следует учитывать, что площадь, занимаемая проводниками, монтажными площадками и зазорами между элементами, составляет до 80 % общей поверхности подложки. Гораздо меньшая доля площади приходится на проводники связей в тонкопленочных БГИС, где они могут быть выполнены с шириной до 2 мкм. [2]
Видно, что площадь подложки МСБ, спроектированной по принципу фрагментов, значительно меньше, чем у прототипа. Расчеты показывают, что фрагментарный метод конструирования МСБ обеспечивает выигрыш в площади подложки и в плотности упаковки элементов не менее чем в 2 5 раза. Однако указанные преимущества достигаются ценой более тщательной проработки вопросов электромагнитной совместимости элементов и компонентов МСБ. [3]
Для выравнивания температуры по площади подложки усиливают нагрев ее периферийной части, где теплоотвод максимален. С этой целью толщину стенки подложкодержателя в месте расположения подложки делают переменной - толще к краю и тоньше к центру подложки. [4]
После определения размеров пленочных элементов вычисляют площадь подложки и с учетом технологических ограничений выбирают типоразмер подложки из ряда стандартных размеров. [5]
 |
Сечение ( а и план ( б участка ИС с инжекционным питанием.| Полевой транзисторе индуцированным каналом р-типа. [6] |
В ИС с инжекционным питанием отсутствуют потери площади подложки на формирование изолирующих переходов. По сравнению с обычными ИС на биполярных транзисторах применение системы инжек-ционного питания позволяет резко сократить потребляемую мощность и многократно увеличить число логических функций, выполняемых ИС. [7]
Площадь поперечного сечения струи распыляемой суспензии гораздо меньше площади подложки, на которую производится напыление, поэтому пульверизатор в процессе напыления движется вдоль подложки в горизонтальном направлении возвратно-поступательно со скоростью 50 - 300 мм / с, а каретка с укрепленной на ней подложкой движется вверх и вниз со скоростью 1 - 1 5 мм / с. Траектория пульверизатора относительно подложки получается зигзагообразной, чем достигается равномерность напыления по всей площади подложки. [8]
При размещении элементов необходимо стремиться к экономному использованию площади подложки, соблюдая при этом ограничения по минимально допустимым размерам между элементами, элементами и краем подложки. [9]
Процесс нанесения пленки не обеспечивает ее равномерности по всей площади подложки, и, как правило, наблюдается некоторое уменьшение толщины на краях пленки. [10]
Стоимость пассивной микросхемы слабо зависит от ее сложности и приблизительно пропорциональна площади занимаемой подложки. Чтобы уменьшить стоимость микросхемы, необходимо ее упрощать и, как следствие, уменьшать число этапов обработки и циклов откачки; уменьшать размеры схемы, используя подложки с большой диэлектрической проницаемостью и улучшая ее топологию; использовать, где это возможно, безвакуумную технологию толстых пленок; применять технологические процессы, для которых существует оборудование массового производства. [11]
 |
Принципиальная схема УПТ в интегральном исполнении. [12] |
Изготовление высокоомного резистора в монолитных интегральных схемах приводит к значительному расходу площади подложки и существенному увеличению мощности рассеяния. Технологически выполнить транзистор значительно проще. [13]
Одной из общих проблем является нахождение такого расположения испарителей, при котором площадь подложки была бы равномерно экспонирована для обоих потоков паров. [14]
 |
Поперечный разрез интегральной схемы. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5