Площадь - подложка
Cтраница 3
Максимальная рассеиваемая мощность на резисторе ограничена его допустимой температурой и зависит от теплопроводности подложки, от отношения площади, занятой резистором, ко всей площади подложки, а также от выбранного способа охлаждения и температуры окружающей среды. [31]
Однако при больших скоростях газового потока распределение концентрации реагентов по его сечению становится более однородным, что обеспечивает большую однородность толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Но, как было сказано раньше, это влечет за собой ухудшение структурного совершенства эпитаксиального слоя. [32]
Максимальная рассеиваемая мощность на резисторе ограничивается допустимой температурой для данного материала пленки и зависит от теплопроводности подложки, от отношения площади, занятой резистором, ко всей площади подложки, а также от выбранного способа охлаждения и температуры окружающей среды. [33]
При вращении электронных прожекторов относительно центральной оси взаимное перекрытие электронных пучков дает одинаковые плотности электронного тока на равных расстояниях от оси, обеспечивая тем самым постоянную скорость полимеризации по всей площади подложки. [34]
Электронные прожектора, применяемые для полимеризации органических пленок, должны устойчиво работать при давлении органического мономера до 10 - 4 мм рт ст., создавая поток электронов с постоянной плотностью около 1 ма / см2 по всей площади подложки. [35]
Полная и неполная кйнденсации о начальной стадии роста пленки. Выше 7 о доля площади подложки, покрытая зародышами и связанными с ними зонами захвата, мала; при этом осуществляется режим неполной конденсации, описанный в разд. Ниже Т0 взаимный захват и образование устойчивого дублета становится более вероятным, чем повторно испарение адатомя. [36]
Допустимая концентрация коллоидных растворов для электрофореза изменяется в широких пределах. Оптимальная концентрация выбирается с учетом площади подложки и необходимой толщины пленки, при осаждении которой должно произойти истощение раствора. [37]
Однородность распределения толщины и удельного сопротивления по площади структуры определяется в основном конструктивными особенностями аппаратуры, используемой для получения эпитаксиального слоя. Она должна обеспечивать однородность температуры по площади подложки и состава контактирующей с ней газовой фазы. Структурные дефекты в эпитаксиальном слое появляются в результате наследования ими аналогичных дефектов из подложки, а также вследствие загрязнения растущего эпитаксиального слоя химическими соединениями, образующимися в результате взаимодействия осаждаемого элементарного полупроводника с остаточными кислород - и угле-родсодержащими газами в атмосфере, реактора. Неоднородный нагрев структуры в процессе эпитаксиального роста приводит к возникновению в ней напряжений, генерирующих различные структурные дефекты. Поэтому другим направлением улучшения технологии однослойных эпитаксиальных структур является совершенствование аппаратуры и повышение стерильности процесса. [38]
Толщина пленки обычно определяется скоростью и временем выращивания. Для обеспечения одинаковой скорости выращивания по всей площади подложки необходимо, чтобы вся эта область контактировала с однородным по своему составу газом. Толщина пленки может определяться по увеличению веса пластины, если площадь поверхности, на которую производится наращивание, известна. Толщина пленки может определяться и методом косого шлифа, а также непосредственным измерением толщины пластины до выращивания и после выращивания на ней эпитаксиальной пленки с помощью точного механического измерительного прибора. [39]
Толщина покрытия лежит в пределах 6 5 - 50 мкм, наиболее часто применяют 13 - 25 мкм. Толщина обычно измеряется в граммах на единицу площади подложки. [40]
 |
Схема прохождения светового потока через.. i. [41] |
Укрывистостью называют способность пигмента создавать непрозрачное покрытие. В ряде стран укрывистость принято выражать величиной площади подложки, которую можно укрыть 1 кг пигмента. [42]
 |
Изменение однородности твердого раствора GaP - GaAs в зависимости от числа циклов гомогенизирующего переноса иодом из смеси соединений ( исходный материал содержал 12 % GaP и 88 % GaAs. [43] |
Неравномерность толщины пленок не превышает 0 5 мк на 80 % площади подложки. Коэффициенты переноса соединений GaAs и GaP из исходной смеси от источника к подложке равны единице. [44]
В заключение следует отметить, что в целом для технологии важна воспроизводимость структурных элементов рельефа - критерий, называемый в англоязычной литературе Li. Требуемый размер элементов микрорельефа нужно удерживать в определенных пределах на всей площади подложки и в течение всего технологического процесса. На воспроизводимость элементов микрорельефа оказывают влияние набухание резиста, а также следующие факторы экспозиционных устройств: механическая стабильность системы, качество оптики, стабильность источника излучения, форма пучка излучения, размер элементов маски; и технологии: однородность и толщина слоя резиста, режим проявления, пред - и постэкспозиционной термообработки и травления, условия плазменного удаления вуали. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5