Площадь - подложка
Cтраница 2
При трех и более слоях межсоединений возможности улучшения электрических свойств схемы расширяются, поскольку возрастает площадь подложки, которую можно использовать для осаждения тонкопленочных активных компонентов ( рис. 4.26) и получения прецизионных пассивных компонентов, необходимых для быстродействующих цифровых и линейных интегральных схем. Резистор, осажденный на промежуточном стеклянном слое, защищается стеклом, расположенным над ним. [16]
Главный принцип построения топологии заключается в достижении максимальной плотности упаковки элементов, обеспечивающей максимальное использование площади подложки при выполнении всех конструктивных и технологических требований и ограничений. [17]
 |
Преобразование принципиальной электрической схемы усилителя ( а в коммутационную схему ( 6. [18] |
Топологический чертеж микросхемы это конструкторский документ, определяющий ориентацию и взаимное расположение всех элементов микросхемы на площади подложки, а также форму и размеры пассивных элементов. [19]
При этом форма конденсатора может быть не только прямоугольной, но и фигурной для наилучшего использования площади подложки. [20]
N - число молекул SiO, деленное на число молекул остаточного газа, падающих на единицу площади подложки в единицу времени. [21]
Наряду с меньшим временем задержки минимально-фазовые преобразователи имеют и меньшую длину, что позволяет более экономно расходовать площадь подложки. [22]
Разброс по толщине у пленок диаметром 25 мм составлял обычно 5 % от общей толщины и зависел от отношения площади подложки к площади сечения реакционной камеры. [23]
Плазмохимический метод позволяет автоматизировать процесс удаления фоторезиста с применением программированного газового потока; причем программа может меняться в зависимости от площади обрабатываемых подложек, их количества и толщины слоя фоторезиста. [25]
 |
Микросхема ДТЛ. [26] |
Конструктивным недостатком микросхем РТЛ и РЕТЛ является то, что они содержат элементы ( диффузионные резисторы и конденсаторы), занимающие значительную часть площади подложки. Это приводит к снижению степени, интеграции ИМС. Поэтому в настоящее время такие ИМС не применяются; они встречаются в прежних разработках. [27]
В сравнении с методом центрифугирования распыление фоторезиста имеет ряд преимуществ: возможность точного контроля толщины покрытия, равномерность пленки по толщине в пределах всей площади подложки ( отсутствие краевого утолщения), минимум внутренних напряжений и дефектов в слое ( отсутствие центробежных сил) и высокая адгезия пленки фоторезиста к подложке. [28]
 |
Профили фоторезистивногослоя, полу ченные на подложках при различных скоростях центрифугирования. [29] |
По сравнению с методом центрифугирования распыление фоторезиста имеет ряд преимуществ: возможность точного контроля толщины покрытия, равномерность пленки по толщине в пределах всей площади подложки ( отсутствие краевоего утолщения), отсутствие внутренних напряжений и дефектов в слое и высокая адгезия пленки фоторезиста к подложке. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5