Площадь - подложка
Cтраница 4
В заключение следует отметить, что в целом для технологии важна воспроизводимость структурных элементов рельефа - критерий, называемый в англоязычной литературе Lltie width control. Требуемый размер элементов микрорельефа нужно удерживать в определенных пределах на всей площади подложки и в течение всего технологического процесса. На воспроизводимость элементов микрорельефа оказывают влияние набухание резиста, а также следующие факторы экспозиционных устройств: механическая стабильность системы, качество оптики, стабильность источника излучения, форма пучка излучения, размер элементов маски; и технологии: однородность и толщина слоя резиста, режим проявления, пред - и постэкспозиционной термообработки и травления, условия плазменного удаления вуали. [46]
Видно, что площадь подложки МСБ, спроектированной по принципу фрагментов, значительно меньше, чем у прототипа. Расчеты показывают, что фрагментарный метод конструирования МСБ обеспечивает выигрыш в площади подложки и в плотности упаковки элементов не менее чем в 2 5 раза. Однако указанные преимущества достигаются ценой более тщательной проработки вопросов электромагнитной совместимости элементов и компонентов МСБ. [47]
Пленочный конденсатор большой емкости может иметь сложную конфигурацию. Это позволяет конструктору при разработке топологии микросхемы полностью использовать свободные участки площади подложки. [48]
Распределение испаренного вещества описывается уравнениями ( 52) и ( 54), в зависимости от угла падения и расстояния от испарителя до подложки. Следовательно, профиль толщины пленки может быть выведен для любой формы площади подложки и любого положения подложки относительно испарителя. Однако обычно используют плоские подложки и располагают их параллельно эффективной плоскости испарения. По этой причине именно этот случай и будет рассмотрен далее. [49]
 |
Примеры построения логических элементов ИЛИ-НЕ на схемах ТЛНС ( а, РТЛ ( б и РЕТЛ ( в. [50] |
В зависимости от ВЧ свойств используемых транзисторов и номиналов пассивных элементов схем устойчивая работа таких ГИС может обеспечиваться на частотах, достигающих 5 МГц. Использование схем РЕТЛ для построения полупроводниковых ИС нецелесообразно вследствие большого расхода площадей подложек на размещение пассивных элементов. [51]
 |
Простейшая схема дифференциального усилителя в микроисполнении.| Дифференциальный каскад с дополнительным транзистором. а - схема. б - графическое пояснение работы дополнительного транзистора. [52] |
Чем больше величина сопротивления резистора RS, тем глубже обратная связь и, как известно из гл. Однако изготовление резистора с большим сопротивлением - связано с заметным увеличением площади подложки интегральной микросхемы. Кроме того, с увеличением сопротивления резистора R5 ( более сотен килоом возрастает мощность, потребляемая от источника питания. [53]
При проектировании ДУ на дискретных элементах источник стабильного тока / о может быть выполнен с применением обычных резисторов, как показано на схеме рис. 4.26, а. В случае интегрального ДУ выполнение резистора большого номинала связано со значительным расходом площади подложки интегральной схемы и существенным увеличением рассеиваемой на резисторе мощности. Поэтому в интегральном ДУ в качестве источника стабильного тока используют транзисторный каскад ОЭ, имеющий значительное сопротивление переменной составляющей тока. [54]
Площадь поперечного сечения струи распыляемой суспензии гораздо меньше площади подложки, на которую производится напыление, поэтому пульверизатор в процессе напыления движется вдоль подложки в горизонтальном направлении возвратно-поступательно со скоростью 50 - 300 мм / с, а каретка с укрепленной на ней подложкой движется вверх и вниз со скоростью 1 - 1 5 мм / с. Траектория пульверизатора относительно подложки получается зигзагообразной, чем достигается равномерность напыления по всей площади подложки. [55]
Важным параметром является летучесть растворителя. Быстрое испарение растворителя приводит к быстрому росту вязкости и образованию неоднородной пленки по всей площади подложки. Слаболетучие растворители испаряются слишком долго, что повышает вероятность налипания частиц загрязнений на поверхность пленки и возникновения пористости. В ряде случаев удобно использовать комбинацию разных растворителей для достижения оптимальных свойств пленки. [56]
При тонкослойной хроматографии на стекла, покрытые порошком силикагеля или другого тонкодисперсного адсорбента, наносят пятна раствора полимера. При движении растворителя вверх по стеклу происходит вымывание полимера из пятна и распределение макромолекул по площади подложки в зависимости от адсорбционной способности макромолекул, являющейся функцией молекулярной массы. По окончании процесса размытые пятна проявляют соответствующим проявителем. [57]
Для уменьшения влияния герметизирующего материала на элементы микросхем применяют специальные демпфирующие составы, например, на основе кремнийорганического каучука СКТН-1. Тем не менее, учитывая вышеуказанные ограничения, подобный вид герметизации применяется лишь для микросхем с малой площадью подложки. [58]
 |
Конструкции микросборок УПЧ. [59] |
Тонкопленочные проводники занимают от 9 5 до 50 % г навесные конденсаторы - от 6 до 31 % площади подложки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5