Cтраница 2
Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников. Причина этого в том, что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях, не ионизуясь при этом. [16]
Рассмотрим теперь поведение примесей в полупроводнике. Как уже говорили ранее, акцепторная и донорная примеси позволяют влиять на концентрацию свободных носителей заряда в полупроводнике. [17]
Экспериментально исследовано поведение примесей сульфатов, ионов железа, кальция и магния при электролизе расплавленного NaCl с жидким свинцовым катодом. [18]
Было изучено поведение примесей натрия, цезия, стронция и лантана, для чего эти примеси, меченные радиоактивными изотопами, вводились в количестве 0 1 % каждой. [19]
Детальных исследований поведения примеси при движении системы к равновесию практически не проводилось. [20]
Результаты анализа хлористого и металлического серебра ( вес. %. [21] |
Для оценки поведения примесей, присутствующих в хлориде серебра, мы легировали исходный хлорид поочередно окислами, сульфатами и сульфидами железа, меди, никеля, хрома и марганца до 5 - Ю 2 вес. [22]
Экспериментальная картина поведения примесей достаточно сложна, поскольку предсказываемые неоклассической теорией явления переноса протекают на фоне аномальной диффузии как основной плазмы, так и примесей, причем проявляются оба процесса. Поэтому экспериментально иногда и наблюдаются эффекты повышения плотности примесей в центре, но, как правило, в обычных условиях умеренного уровня шумов коэффициенты диффузии примесей с разными Z оказываются близкими между собой, эффекты скопления примесей в центре и термодиффузионные эффекты не проявляются. К настоящему времени предложены некоторые методы активного воздействия на потоки примесей с целью выведения их из плазмы: пучками частиц, резонансными ВЧ-волнами, асимметрией подпитки газом на периферии. [23]
Измерение распределения радиоактивных компонент по длине реактора. [24] |
При изучении поведения примесей железа, кальция, олова и фосфора в полупятиокиси ниобия в процессе хлорирования показаны возможности очистки ниобия от железа, кальция и олова. [25]
Возникновение в запрещенной зоне разрешенных состояний энергии при наложении на кристалл локального возмущения. [26] |
Рассмотрим, теперь поведение примесей в полупроводнике. [27]
Еще более наглядно поведение примесей может быть продемонстрировано при помощи коэффициента ректификации К, введенного Барбэ. [28]
Значения эффективного коэффициента. [29] |
Структурная перекристаллизация определяет поведение примеси, если из раствора выделяется крупнодисперсная дефектная фаза, характеристическое время созревания которой ( формула 6.1.9) существенно превышает время наблюдения за системой. Такая фаза не может избавиться от дефектных участков путем их растворения. [30]