Поверхность - кремний
Cтраница 1
 |
Схема получения пленок SiO2 окислением кремния. [1] |
Поверхность кремния химически полируется травлением поверхности плавиковой кислотой [150-154] или смесью концентрированных азотной, плавиковой и уксусной кислот. Используемые смеси известны под названием полирующих растворов СР. Например, полирующая смесь СР-8 состоит из 25 мл концентрированной азотной кислоты, 15 мл концентрированной плавиковой кислоты, 15 мл ледяной уксусной кислоты. Полирующий раствор СР-4 содержит кроме того 0 3 мл брома. [2]
Поверхность кремния ( как правило, 100 или 110), механически полированная и травленная в составе типа СР-4, непосредственно перед синтезом дополнительно очищалась. [3]
 |
Основные травители для Si на основе системы HNO3 - HF.| Зависимость скорости растворения кремния от соотношения HF. HNO3 в растворе.| Проекция структуры полупроводника ти-па A BV ( 1100. [4] |
Поверхность кремния приобретает электропроводность р - типа, а результирующее электростатическое поле вблизи поверхности отталкивает неосновные носители. Скорость поверхностной рекомбинации снижается. [5]
 |
Технологический процесс изготовления структуры фотодиода с переходом Шоттки. [6] |
Поверхность кремния внутри охранного кольца тщательно очищается. На эту поверхность напыляется тонкая ( около 0 01 мкм) полупрозрачная золотая пленка, а поверх нее-антиотражающее покрытие из сернистого цинка. Введение охранного кольца позволяет снизить ток утечки и повысить пробивное напряжение. [7]
 |
Последовательность операций при изготовлении матрицы кремниевых диодов на основе эпитаксиальной пленки Si, выращенной иа сйпфнре. [8] |
Затем поверхность кремния окисляется и поверх окисной пленки SiCb наносят массивную ( около 100 мкм) поликристаллическую пленку кремния. [9]
На поверхности кремния при обработке его в горячем 10 % - ном растворе азотной кислоты в течение одной минуты образуется тончайшая пленка SiCb. Эта пленка далеко не совершенна по своему строению ( пориста, невлагостойка), однако она временно стабилизирует поверхность кремния. Если кристаллы, окисленные химическим способом, в течение нескольких часов собрать в хорошо герметизированный корпус, параметры полученных приборов оказываются более стабильными, чем при лакировке кристаллов. [10]
На поверхности кремния расположен тонкий ( яЛООО - ь - 2000 А) слой диэлектрика ( окисла SiO2), на который осажден слой металла, образующий затвор 3 и контактные площадки для соединительных проводников. [11]
На поверхности кремния имеется пленка золота толщиной 100 А. Рабочая поверхность имеет площадь 0 56 - 2 75 см2, изменение фоточувствительности по всей рабочей поверхности не превышает нескольких процентов. Фотоны создают пары электрон - дыркз. [12]
На поверхности кремния происходит реакция P2Os Si - - SiO2 P. По мере роста окисной пленки фосфорный ангидрид диффундирует к границе раздела SiO2 - Si и выделяется в виде атомарного фосфора. Аналогичные реакции и явления протекают и при диффузии бора. Это локальный источник примеси должен быть удален путем стравливания перед процессом разгонки. [13]
На поверхности кремния р-тппа существует обед-пенный слой, причем концентрация электронов считается пренебрежимо малой. [14]
Подготовку поверхности кремния выполняют по следующей схеме. [15]
Страницы: 1 2 3 4