Поверхность - кремний
Cтраница 4
В Оэ, на поверхности кремния образуются сложные соединения - фосфорносиликатные или боросиликатные стекла. [46]
Шотки или с р-л-диодами на поверхности кремния. Так, в устройстве с диодами Шотки 1432 ], имеющем длительность взаимодействия около 6 мкс, было достигнуто время запоминания сигнала по уровню 3 дБ, равное 7 5 мс. [47]
Если, например, подвергнуть поверхность кремния бомбардировке ионами Аг или другого инертного газа и отжечь образец при 900 С, то содержащиеся в образце примеси диффундируют к облученному поверхностному слою ( толщина которого порядка долей микрона) и оседают там. [48]
Нерастворимые частицы, оседающие на поверхности кремния при окислении, могут вызвать появление отверстий в слое окисла. Если размеры частицы очень малы ( порядка долей микрона), то она может стать центром зарождения зерна кристобалита с острыми гранями. Такое зерно может проткнуть пленку фоторезиста при ее высыхании и в результате при травлении в окисле появится отверстие. Если такое отверстие образуется во время вытравливания окон в окисной пленке для металлизации и если оно будет расположено над границей одного из переходов, то при металлизации структура будет закорочена. [49]
Практически получение окисных пленок на поверхности кремния с целью уменьшения отражения инфракрасного излучения ограничивается областью с А - СЗ-4 мкм, вследствие трудности получения равномерных пленок толщиной 1 мкм. Разработке метода пассивирования поверхности полупроводниковых приборов из кремния и германия уделяется в настоящее время большое внимание. Появление большого числа публикаций за сравнительно короткий промежуток времени свидетельствует о проведении разносторонних систематических исследований. В них говорится о значительных трудностях выполнения задач, направленных на стабилизацию свойств полупроводниковых приборов. [50]
Поэтому можно считать, что поверхность кремния была покрыта толстой пленкой окисла. [51]
Окисные пленки, покрывающие обычно поверхность кремния, не восстанавливаются при катодной поляризации. Поэтому для обеспечения хорошего сцепления металла с кремнием рекомендуется добавлять в ванну плавиковую кислоту или же применять горячие щелочные электролиты. [52]
Образовавшиеся стекла тонкой пленкой покрывают поверхность кремния и, находясь в жидком состоянии, являются как бы промежуточным источником примеси, которая поступает к поверхности кремния более равномерно. Кроме того, пленка стекла защищает поверхность кремния от испарения и попадания посторонних частиц. [53]
 |
Схематическое устройство печи для диффузии фосфора из Р2О5 в пластины кремния. [54] |
Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, обладающую хорошими защитными свойствами. [55]
В начальный момент, когда на поверхности кремния нет атомов хлора, реакция не протекает и существует так называемый индукционный период, во время которого формируются активные поверхностные состояния кремния и который связан с накоплением соединений хлора на поверхности кремния или сплавов на его основе. Лишь после этого индукционного периода реакция протекает достаточно легко. [56]
 |
Изоляция воздухом и окислом. [57] |
Используется метод нанесения рисунка на какую-либо поверхность кремния [16] с помощью тонкопленочной металлизации вольфрамом, который легко наносится, образуя слои с повы-вышенной проводимостью. Кроме того, вольфрам хорошо сцепляется с двуокисью кремния, служащей пассивирующей защитой для кремния. [58]
Аналогичным изменением структуры окисного слоя на поверхности кремния в присутствии паров воды могут быть объяснены данные по изменению работы выхода электрона и дополнительной адсорбции кислорода на кремнии после воздействия паров воды на окисленную поверхность кремния. [59]
Пленарный процесс заключается в создании на поверхности кремния пленки диоксида кремния ( SiOj) толщиной 0 1 - 1 мкм путем окисления пластины кремния в среде кислорода при высокой температуре и проведения фотолитографической обработки. При проведении фотолитографической обработки на окисленную пластину кремния наносят слой фотоэмульсии - фоторезист - и экспонируют его через фотошаблон, содержащий множество идентичных рисунков, задающих конфигурацию элементов активных структур приборов. Затем в растворе, содержащем плавиковую кислоту, травят обнажившуюся в отверстиях фоторезиста пленку диоксида кремния - вскрывают в ней окна. Оставшийся фоторезист полностью удаляют. Далее проводят диффузию примеси. Скорость диффузии примеси в полупроводник через окно и в защитной пленке диоксида кремния ( для акцепторной примеси бора и донорных примесей фосфора или мышьяка) сильно отличается. [60]
Страницы: 1 2 3 4