Поверхность - кремний
Cтраница 3
Кристаллизация непосредственно на поверхности кремния приводит к образованию монокристальной пленки AgCl толщиной порядка 700 А на / - области и более тонкой ( порядка 100 А) поликристаллической пленки на n - области. [31]
 |
Сравнение размеров интегральных транзисторов для пяти способов их изоляции. [32] |
Вслед за этим поверхность кремния полируется. [33]
 |
Искривление энергетических зон на границе раздела кремний - двуокись кремния, происходящее вследствие разности их работ выхода.| Зависимость порогового. [34] |
Ширина канала на поверхности кремния будет также зависеть от работы выхода материала, из которого выполнен затвор. [35]
Соответствующая изотерма заряжения поверхности кремния показана на рис. 5.16. В начальной стадии адсорбции при относительном давлении паров воды p / ps Ю-2 ( ps - давление насыщенного пара) заряд поверхности Qss растет вследствие образования на ней донорно-акцеп-торных комплексов ( типа / на рис. 5.16, б), являющихся центрами локализации дырок, т.е. проявляющих донорные свойства. [37]
Взаимодействие SF6 с поверхностью кремния также происходит при относительно низкой температуре ( - 1400 К) и, кроме того, гексафторид серы ( элегаз) практически не токсичен. В реакции (2.17) лимитирующей является стадия диффузионной доставки молекул SF6 к поверхности кремния. [38]
 |
Зонные диаграммы омического контакта. [39] |
Он легко напыляется на поверхность кремния и далее при достаточно высокой температуре сплавляется с ним. Если кремний имеет проводимость р-типа, то алюминий, будучи акцептором, способствует повышению проводимости приконтактного слоя. [40]
В балочных ИС на поверхности кремния осаждают золотые балки, которые дают для будущей схемы каркас и одновременно соединительные проводники и внешние выводы. Элементы схем создаются в кремниевой пластине, затем весь лишний кремний стравливается и остаются лишь элементы схемы, прикрепленные к системе балок. Достоинством этих ИС является распространение групповых методов производства схем на внешние выводы, уменьшение паразитных параметров и взаимосвязи элементов. [41]
Пылинка, оказавшаяся на поверхности кремния перед диффузией фосфора, может привести к тому, что под ней не образуется эмиттерной области. Если это место будет находиться под эмиттер-ным контактом, то при металлизации эмиттер замкнется накоротко с базой. [42]
В процессе загонки на поверхности кремния формируется относительно тонкий, насыщенный бором слой. Это происходит за счет конденсации испаряющегося В2О8 и обменного взаимодействия конденсата с кремнием. Диффузия при загонке идет из бесконечного источника. Пластину тщательно промывают водой и этиловым спиртом, высушивают фильтровальной бумагой. Затем вновь измеряют поверхностное сопротивление. [43]
Тонкий окисел выращивается на поверхности кремния в сухом кислороде при температуре 1150 - 1200 С. [44]
В процессе загонки на поверхности кремния формируется относительно тонкий, насыщенный бором слой. Это происходит за счет конденсации испаряющегося В2О3 и обменного взаимодействия конденсата с кремнием. Диффузия при загонке идет из бесконечного источника. По окончании процесса пинцетом выдвигают держатель в зону 400 - 500 С и после 5 мин выдержки вынимают из диффузионной камеры. Пластину тщательно промывают водей и этиловым спиртом, высушивают фильтровальной бумагой. Затем вновь измеряют поверхностное сопротивление. [45]
Страницы: 1 2 3 4