Поверхность - кремний
Cтраница 2
Алюминирование поверхности кремния иногда применяют для изготовления омических контактов. [16]
Сродство поверхности кремния к кислороду и связанная с этим склонность к формированию тонких оксидных пассивирующих покрытий позволяют при определенных условиях сместить процесс, протекающий на границе кремний-электролит в сторону образования более толстого слоя оксида. На практике невозможно получить анодные окисные пленки толще нескольких тысяч ангстрем. Это обусловлено тем, что предельный потенциал, достигаемый в процессе анодного окисления кремния, определяется электрической прочностью оксида. Кроме того, задаваемая величина тока, определяющая скорость роста оксида, также должна быть ограничена, поскольку в противном случае возможен сильный разогрев электролита, кремниевого анода, что делает процесс неуправляемым и сильно ухудшает качество образующейся пленки. [17]
Сродство поверхности кремния к кислороду и связанная с этим склонность к формированию тонких оксидных пассивирующих покрытий позволяют при определенных условиях сместить процесс, протекающий на границе кремний-электролит в сторону образования более толстого слоя оксида. Это обычно достигается подачей на кремниевый электрод высокого положительного потенциала. На практике невозможно получить анодные окисные пленки толще нескольких тысяч ангстрем. Это обусловлено тем, что предельный потенциал, достигаемый в процессе анодного окисления кремния, определяется электрической прочностью оксида. Кроме того, задаваемая величина тока, определяющая скорость роста оксида, также должна быть ограничена, поскольку в противном случае возможен сильный разогрев электролита, кремниевого анода, что делает процесс неуправляемым и сильно ухудшает качество образующейся пленки. [18]
Обогащение поверхности кремния фосфором при окислении вследствие сегрегации и повышение концентрации электронов в поверхностном слое под влиянием пространственного заряда повышают электронную электропроводность поверхности диффузионных областей. В транзисторе типа п-р - п эти явления опасны для коллекторной и базовой областей. [19]
Окисел на поверхности кремния становится легирующим источником примеси, диффундирующей в кремний. [20]
 |
Стадии изготовления МДП-транзисто-ра с кремниевым затвором. [21] |
Для этого поверхность кремния окисляют, покрывают поликристаллическим слоем кремния ( рис. 8.8, а) и проводят его фотогравировку ( рис. 8.8, б), так что он приобретает необходимую для затворов конфигурацию. [22]
Поскольку на поверхности кремния присутствует стабильная пленка окиси, Доннелли и Милне [141] раскалывали кристаллы-подложки непосредственно перед кристаллизацией. [23]
Для защиты поверхности кремния используют кремнийорганиче-ские полимерные пленки. При полимеризации происходит химическое соединение образующейся пленки с поверхностными атомами кремния, что обеспечивает падежную адгезию и поэтому обусловливает отсутствие дефектов на границе кремний - пленка, а следовательно, и отсутствие механических напряжений. Кроме того, эти пленки обладают высокой газо - и влагостойкостью, инертностью к различным химическим активным веществам и теплостойкостью. [24]
В случае поверхности кремния, очищенной от естественного окисла жидкостной обработкой в HF / H2O, водород поверхности реагирует с метальными радикалами в DMAH и образует летучие молекулы метана. [25]
Эта пленка защищает поверхность кремния от проникновения посторонних химических веществ и служит маской для последующего процесса диффузии. Возможность создавать ( выращивать) на кремнии химически устойчивую защитную пленку диоксида кремния делает кремниевые пластины наиболее широко применяемыми полупроводниковыми подложками. [26]
Кристаллизация начинается от поверхности кремния - там, где сосредоточена и основная часть примеси. [27]
При распылении с поверхности кремния площадью 300 мм2 слоя толщиной 1 мкм достигается практически предельная чувствительность метода вакуумной искры - 3 - 10 - 7 ат. [28]
Изолирующий слой на поверхности кремния ( основного используемого в микроэлектронике полупроводникового материала) может создаваться путем окисления самого кремния. Для этого кремний нагревается до температуры от 800 до 1 300 С в атмосфере кислорода или паров воды. В результате такого воздействия его поверхность покрывается тонким слоем двуокиси кремния ( она известна под названием кварца), представляющего собой прекрасный изолятор. [29]
 |
Выявление при декорировании хлористым серебром памяти р - га-перехода на контактной стороне углеродной пленки, отделенной от поверхности монокристалла кремния. [30] |
Страницы: 1 2 3 4