Поверхность - подложка
Cтраница 1
 |
Узел машины литья с фильерой. [1] |
Поверхность подложки должна быть ровной, без царапин и посторонних включений. [2]
 |
Последовательность изготовления толстопленочных микросхем. [3] |
Поверхность подложки обезжиривается в растворителе с целью удаления органических загрязнений, а затем промывается в деио-низированной воде для удаления неорганических примесей. [4]
Поверхность подложки должна быть хорошо обработана. Это особенно важно, когда на подложку наносят слои вакуумным напылением с последующей фотолитографией. В этом случае минимально достижимые величины ширины линий являются функцией чистоты поверхности подложки и толщины слоя металлизации, причем эти параметры взаимозависимы: чем выше качество обработки поверхности подложки, тем меньше получаемая ширина линии. [5]
Поверхность подложки характеризуется двумя параметрами: плоскостностью и микрорельефом. Применяемые подложки микросхем имеют в большинстве случаев удовлетворительную плоскостность, и основное внимание уделяется микрорельефу. Очень важно, чтобы поверхность пленки имела возможно меньшие неровности по высоте и, главное, была бы без резких выступов и впадин. Диэлектрические пленки особенно чувствительны даже к единичному незначительному дефекту на поверхности подложки. Высота гребешков микрорельефа допускается не более 250 нм. [6]
Поверхность подложки должна быть хорошо обработана. Это особенно важно, когда на подложку наносят слои вакуумным напылением с последующей фотолитографией. В этом случае минимально достижимые значения ширины линий являются функцией чистоты поверхности подложки и толщины слоя металлизации, причем эти параметры взаимозависимы: чем выше качество обработки поверхности подложки, тем меньше получаемая ширина линии. [7]
Поверхность подложек перед нанесением пленок должна быть тщательно очищена. Рекомендуется протравливать их в смеси плавиковой кислоты с ацетоном ( 1: 10) с последующей трехкратной промывкой в чистом ацетоне. [8]
Поверхность подложки механически полировали до 14V и обезжиривали в парах толуола. [9]
Поверхность подложки сильно влияет на магнитные свойства тонких пленок. В работе [53] указано, что шероховатость поверхности влияет на прямоугольность петли гистерезиса, величину коэрцитивной силы и воспроизводимость свойств магнитной пленки. [10]
У поверхности подложки сформированы области 4 р - типа, границы которых на рис. 11.1, а показаны штриховыми линиями. [11]
 |
Создание рисунка в пленке с использованием негативного маскирующего покрытия. [12] |
На поверхность подложки напылялся очень тонкий слой индия, в виде отдельных больших участков. Затем вся подложка покрывалась тонким слоем хрома, а индий селективно вытравливался и таким образом в пленке хрома создавался рисунок. Прозрачность остающейся пленки хрома составляла 80 %, а поверхностное сопротивление было в несколько сотен раз выше, чем у сплошных пленок хрома при сравнимых толщинах. [13]
На поверхности подложки часто зарождается дефект с винтовым типом структуры, дающий необычное возвышение в виде конуса или пирамиды. [14]
К поверхности подложки предъявляются очень высокие требования. На ней не должно быть следов механической обработки, так как кремниевые слои зарождаются прежде всего на царапинах и рисках. Заключительным этапом подготовки поверхности должно быть химическое травление. Сапфир плохо травится в различных травителях. Удовлетворительные результаты дает травление в расплавленной буре ( NazE O. [15]
Страницы: 1 2 3 4