Поверхность - подложка
Cтраница 3
Рельеф поверхности подложки также определяет результат травления. [31]
Активацию поверхности неполярных подложек ( полиэтилена, политетрафторэтилена и др.) проводят в химически активных средах ( жидким аммиаке, растворе металлического натрия или в натриевонафталиновом комплексе с тетрагидрофураном), в результате чего в поверхностном слое образуются полярные группы ОН, СО, NH, СН2, СН3 и ненасыщенные связи. Эффективным методом активации полиэтилена является обработка в хромовых смесях. [32]
Пленкообразование на поверхности подложки в результате протекания процесса полимеризации включает три элементарные стадии: инициирование, рост цепи и обрыв цепи. Инициирование процесса осуществляется кислородом воздуха. Иногда, однако, кислород может вызывать ингибирование процесса. [33]
Когда на поверхности подложки или в эпитаксиаль-ной пленке, выращиваемой, например, в направлении 111, появляется какой-либо дефект, например крошечная пылинка или другое загрязнение, приводящее к тому, что наслаивающиеся атомы на этом участке уже не лежат в одной плоскости относительно остальной части растущего кристалла, в структуре кристалла появляется дефект упаковки, который распространяется от точки загрязнения на всю толщину выращиваемой пленки. Дефект структуры локализуется на плоскостях, ограничивающих тетраэдр: именно здесь и наблюдается нарушение монокристаллической структуры. Области внутри тетраэдра и вне его могут быть совершенными монокристаллами. [34]
Мы исследовали поверхность подложек после отжига при 750 - - 1250 С в течение 2 - 20 мин в системах без геттера и с геттером. [35]
Электронограммы от поверхности подложки обычно содержат лишь кикучи-линии, но в процессе осаждения на них возникают точечные рефлексы. Анализ характера рефлексов на электронограммах и электронномикроскопические снимки свидетельствуют о том, что кристаллики имеют плоскую, несколько удлиненную форму. [36]
Мигрируя по поверхности подложки, атомы, сталкиваясь, образуют кристаллические зародыши, которые растут, присоединяя новые атомы. Относительная роль этих двух механизмов определяется степенью покрытия пленкой поверхности. [37]
 |
Шероховатость поверхности подложек. [38] |
Дефекты на поверхности подложки могут быть вызваны следующими причинами: царапинами и пятнами в процессе полирования; пылью, жирами и другими вредными веществами на поверхности; загрязнениями, полученными во время вакуумной обработки. Пыль может привести к нарушению тонкой пленки, так как турбулентность во время предварительной откачки воздуха может разнести пыль по всей поверхности подложки. [39]
Наличие на поверхности подложки загрязнений другого вещества, особенно в виде мельчайших кристаллов, может существенно изменить ориентацию осадка. Отрицательное влияние загрязнений, имеющихся на поверхности, неоднократно отмечали Томсон [67, 92], Пэшли [93], Шульц [14] и многие другие авторы. Особый интерес представляют результаты Шульца, который специально исследовал влияние искусственно создаваемых загрязнений на ориентацию кристаллов осадка. Он, например, показал, что загрязнение поверхности слюды небольшим количеством бромистого калия полностью изменяет ориентацию при кристаллизации фтористого лития. [40]
Электролитическую очистку поверхности подложки из берил-лиевой проволоки проводят в течение 2 - 15 мин в растворе состава: 100 - 200 г / л хлорида натрия, 50 - 100 г / л этилового спирта, 1 - 5 г / л ПАВ ( анионное, катионное или нейтральное); рН 5 5 - г - -: - 8 5; температура 20 - 45 С; катодная плотность тока 0 03 - 0 05 А / сма. [41]
Почему состояние поверхности подложки, на которую наносится пленка, определяет свойства пленки. [42]
Регулирование топографии поверхности подложки достигается изменением плотности тока травления. [43]
Степень обработки поверхности подложки оказывает влияние на величину адгезии. Как правило, на шероховатой поверхности адгезия лучше, чем па хорошо отполированной. [44]
Качество обработки поверхности подложки также влияет на скорость роста пленки: чем выше класс точности обработки поверхности, тем медленнее растет пленка при фиксированной температуре. [45]
Страницы: 1 2 3 4