Cтраница 4
Влияние качества поверхности подложки очень важно учитывать при изготовлении тонкопленочных резисторов и конденсаторов. Сопротивление тонкопленочного резистора является функцией шероховатости подложки, если эта шероховатость по меньшей мере равна толщине резистивного слоя. [46]
Предварительное окисление поверхности подложки ( t 300 СГ t 10 час) резко увеличивает плотность дефектов упаковки, выявляемых в виде треугольных фигур на поверхности слоя. Более того, если процесс осаждения прервать и образцы извлечь на воздух, выдержав их 15 мин при 150 С, то при последующем росте образуются новые фигуры, зародившиеся на границе между первым и вторым слоем. [47]
Завершающую очистку поверхности подложки перед осаждением пленок производят в вакуумной камере с помощью ионной бомбардировки. Процесс протекает в тлеющем разряде, если очищаемую подложку поместить в зоне ионов больших энергий. Ионная бомбардировка за несколько минут удаляет молекулярные слои воды, газа, окислов и других соединений. Разрядные электроды изготовляют из алюминия. Незначительное сопутствующее осаждение алюминия полезно. Островки из атомов алюминия служат центрами кристаллизации при последующем осаждении. [48]
Влияние состояния поверхности подложки и температуры конденсации на характер срастания частиц при формировании пленки рассмотрено в [132] на примере эпитаксиального роста теллурида свинца на грани ( 001) KCI. [49]
Ионная бомбардировка поверхности подложки изменяет условия зарождения совокупности кристаллов в начальных стадиях. Повреждаемость же совокупности кристаллов в процессе ее роста приводит к изменению энергетического состояния. Катодное распыление примесных и основных компонентов может существенно повлиять на процессы отбора. Таким образом, зажигание тлеющего разряда может оказать существенное влияние на все три фактора эволюции. В настоящее время отсутствуют представления, позволяющие дать априорную оценку влияния тлеющего разряда на закономерности роста кристаллов при образовании покрытий. [50]
Влияние качества поверхности подложки очень важно учитывать при изготовлении тонкопленочных резисторов и конденсаторов. Сопротивление тонкопленочного резистора является функцией шероховатости подложки, если эта шероховатость, по меньшей мере, равна толщине резистивного слоя. На различных подложках можно получить одинаковые значения поверхностных сопротивлений только при условии, что шероховатость их поверхности одинакова. При изготовлении тонкопленочных конденсаторов во избежание электрического пробоя диэлектрика шероховатость подложки должна быть значительно меньше. В тех случаях, когда требуется особо гладкая поверхность подложки ( например, при более высоких частотах), применяют сапфир. [51]
Влияние состояния поверхности подложки и температуры конденсации на характер срастания частиц при формировании пленки рассмотрено в [132] на примере эпитаксиального роста теллурида свинца на грани ( 001) KCI. [52]
Природа материала поверхности подложки при формировании осадка в гидростатических условиях влияния практически не оказывает. В этом случае осаждающиеся частицы дисперсной фазы удерживаются на поверхности подложки благодаря своему весу и адгезионные силы между поверхностями частицы и подложки имеют лишь подчиненный характер. Совершенно иная картина наблюдается при образовании отложений в гидродинамических условиях. [53]
Тщательная очистка поверхности подложек перед напылением на них тонкопленочных слоев является непременным условием технологического процесса, поскольку из-за малой толщины пленки любое загрязнение ухудшает условия конденсации и влияет на текстуру образца. [54]
Иногда можно подготовить поверхность подложки, что облегчает осаждение кристаллической пленки. Широкие электронные лучи используют в процессах, связанных с испарением, а узкие - для прецизионного вторичного плавления и рекристаллизации. [55]