Поверхность - подложка
Cтраница 2
На поверхности подложки между этими областями формируют слой тонкого ( сотые доли микрометра) подзатворного диэлектрика ( оксида кремния), на котором изготовляют металлический ( или из сильно легированного поликристаллического кремния) электрод-затвор. [16]
На поверхности подложки напыляется подслой Nb, затем его поверхность окисляется и далее сверху последовательно наносятся слои SiO и РЬ-In ( 12 весовых %) - Аи ( 4 весовых %), образующие сверхпроводниковый элемент. [18]
На поверхности подложки из изолирующего материала размещены пассивные элементы микросхемы - резисторы, конденсаторы, а также соединительные проводники. Активные элементы в виде бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных полупроводниковых микросхем крепят на поверхности подложки ( иногда приклеивают к корпусу) и присоединяют их выводы к соответствующим контактным площадкам на поверхности подложки ( рис. В. [19]
Если поверхность подложки перед эпитаксией считать идеально чистой, то основным видом дефектов в растущем слое будут дислокации. Причиной может быть их репродуцирование в слое, а также развитие дислокаций несоответствия в случае гетероэпитаксии. В случае автоэпитаксии при полном соответствии решеток дислокации могут появляться вследствие пластической деформации решетки слоя при отжиге механических напряжений на границе слой - подложка, возникающих в том случае, если тип или уровень легирования подложки и слоя различны. В большинстве случаев это имеет место при получении р-п-структур. [20]
На поверхности подложки молекулы ИР распадаются с образованием атомов осаждаемого материала и конечного газообразного побочного продукта ( ПП), молекулы которого диффундируют обратно в объем реактора с изменением концентрации от nbs на поверхности подложки до nbv в объеме реактора. [21]
На поверхности целлулоидной подложки подвешенной пленки обычно остаются капли воды. Их необходимо удалить, так как в противном случае в этих участках эмульсия будет высыхать очень долго и на негативе могут появиться затеки и пятна от неравномерной сушки. [22]
Чистота поверхности подложки является решающим фактором для выращивания и адгезии пленок. Хорошо очищенная подложка является необходимым предварительным условием для получения пленок с воспроизводимыми свойствами. Выбор метода очистки зависит от природы подложки. Остающиеся после изготовления и упаковки волокна, отпечатки пальцев, масло и частицы, осажденные из воздуха, являются примерами часто встречающихся загрязнений. Следовательно, изготовители тонких пленок должны обращать внимание на необходимость распознавания загрязнений и эффективного их удаления. Эти вопросы, как правило, находят решение с обычными эмпирическими приближениями. [23]
Состояние поверхности подложки, герметичность корпуса, целостность и однородность подложки, дефекты в твердом теле являются причиной появления постепенных отказов, которые часто бывают взаимозависимыми. Например, потеря герметичности корпуса может быть причиной постепенного отказа, если одновременно нарушена защита поверхности подложки. Но при наличии хорошей защиты поверхности подложки потеря герметичности корпуса не вызовет сколько-нибудь заметных изменений параметров и остается незамеченной. [24]
Подготовка поверхности подложки предшествует операции нанесения фоторезиста и служит для обеспечения качества фоторезистивного покрытия, его адгезии к подложке и, следовательно, стойкости к воздействию агрессивных сред. [25]
Травление поверхности подложки в большой степени зависит от взаимодействия подложки с жидкой фазой. [26]
Отклонение поверхности подложки на угол до 10 от ( 0001) не сказывается на совершенстве структуры. [27]
Обработка поверхности подложки имеет целью обеспечить хорошую адгезию слоя фоторезиста к подложке. Фоторезисты наносят на поверхность кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, примесно-силикатных стекол, нитрида кремния, различных металлических слоев. [28]
Чистоте поверхности подложек необходимо предъявлять жесткие требования. [29]
 |
Зависимость коэффициента распыления от угла падения потока ионов. [30] |
Страницы: 1 2 3 4