Потенциальная поверхность

Cтраница 1

Потенциальная поверхность может иметь не один, а несколько минимумов. Если каждому минимуму соответствует своя геометрическая конфигурация молекулы, то говорят о появлении геометрических изомеров молекулы. Среди них выделяется важный класс поворотных изомеров. [2]

Часть потенциальной поверхности для молекулы пропилена. [3]

Потенциальные поверхности, отвечающие разным электронным состояниям, могут пересекаться. [4]

Потенциальная поверхность содержит один минимум. Штриховая линия соответствует постоянному R 2 4 А; б - изопотенциальные линии при более сильной зависимости сил отталкивания от R. Потенциальная поверхность содержит два минимума. Штриховая линия соответствует постоянному R 2 8 А. [5]

Потенциальные поверхности были введены в науку в докторской диссертации Д. Ф. Егорова ( 1901) из своеобразных кинематических условий. [6]

Изменения потенциальной энергии в элементарном акте. [7]

Потенциальная поверхность иллюстрирует переход системы в элементарном акте из начального состояния в конечное последовательным перемещением некоторой кон-фигуративной точки ( или точек) через области, соответствующие величинам потенциальной энергии более высоким, чем отвечающие этим обоим состояниям. Естественно изображать рассматриваемые переходы сменой промежуточных состояний, восхождением из долины по некоторой возвышенности через перевальную область и спуском в другую долину. Такие переходы могут осуществляться различными путями. Форма кривых иллюстрирует переход системы через энергетический барьер Е, высота которого различна для разных путей перемещения из начального состояния в конечное по потенциальной поверхности. В одном из таких возможных путей высота энергетического барьера оказывается минимальной по отношению ко всем другим путям. Этот путь наименьшей затраты энергии выражает движение по координате реакции. [8]

Потенциальная поверхность строится следуют. Vl i - li: по одной оси ( 1 - 2) отклалываст я йзченснне порядки сзнзм С-X, а по дторой ( 1 - 4) - изменение порядка св5: зк С-V, В точке 1 находится ксхэдаое состояние, з точке j - конечное. Точка 2 соответствует состояниь, к котором с вяз г. - С - - - X г олнос. [9]

Потенциальная поверхность) и разность энергии рота-меров - определяют экспериментально методами инфракрасной спектроскопии -, спектроскопии комбинационного рассеяния секта, микроволновой спектроскопии, спектроскопии ядерного магнитного резонанса, ультразвуковой спектроскопии. Экспериментально полученные для пероксида водорода значения барьеров вращения составляют 4 к Д ж / моль для трапсоидного и 40 кДж / моль для цисоидного ротамеров. [10]

Кривая зависимости потенциальной энергии квазилинейной молекулы от деформационной координаты х. [11]

Потенциальная поверхность, сечение которой показано на рис. 87, симметрична относительно оси, соответствующей линейной конфигурации. Таким образом, два минимума на рис. 87 в действительности не разделены друг от друга: из одного в другой можно перейти при простом вращении молекулы. [12]

Потенциальные поверхности электронных состояний ft и г расположены одна над другой. [13]

Потенциальные поверхности электронных состояний смещены относительно друг друга. [14]

Потенциальные поверхности невырожденных систем с двумя максимумами могут быть качественно разделены на два класса. К первому классу следует отнести системы, характеризующиеся не слишком различающимися значениями V и V % допустим для определенности, что 1Л - 1 / 2 2 ккал / моль. К другому классу систем относятся потенциальные поверхности с резко различающимися значениями Vi n 1 / 2; допустим, 1 1 / 2 - У ] 2 ккал / моль. Следует отметить, что ню, существу такие спльносмещенные равновесия приближаются к жестким системам, поскольку наличие второго высоколежащего локального минимума можно рассматривать как несущественную деталь потенциальной поверхности. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5