Потенциальная поверхность

Cтраница 2

Если потенциальная поверхность имеет минимумы, то получится дискретный набор колебательных уровней. Дискретные наборы уровней получаются также для внутренних вращений. [16]

Такая потенциальная поверхность, изображаемая аналогично топографическим картам местности, описывает различные энергетические состояния системы, например, в зависимости от взаимных расстояний исходных частиц. [17]

Если потенциальная поверхность имеет лишь один минимум ( а такие случаи нередки - в ароматических системах, как правило, имеется лишь одна равновесная конформация), то, выбрав произвольную начальную точку в пространстве геометрических параметров, мы найдем его, применяя один из описанных ниже методов минимизации. [18]

Тогда потенциальная поверхность, изображенная на фиг. [19]

Метод потенциальных поверхностей - исключительно важный прием для описания пути химической реакции, и им теперь часто пользуются при обсуждении элементарных реакций. Вначале дадим общие принципы построения таких поверхностей и приведем случаи, к которым они могут быть применены. [20]

Форма потенциальной поверхности может быть получена путем теоретических вычислений. [21]

Разрез потенциальной поверхности вдоль пути дает линию, называемую профиль пути ре-или координата реакции. [22]

Характер потенциальной поверхности в любом кристалле зависит от ее ориентации по отношению к атомным плоскостям данного кристалла. Поэтому такое, например, свойство кристалла, как его электропроводность, может зависеть от направления тока по отношению к атомным плоскостям. Это напоминает описанные выше свойства графита, однако в большинстве металлов не обнаруживается таких заметных изменений электропроводности в зависимости от направления, как в графите, а в некоторых металлах вообще не существует подобного эффекта. [23]

Углы поворота нитрогрупп и барьеры внутреннего вращения мононитросоединений.| Потенциальная энергия молекулы CH2 ( NO2 2. [24]

Исследование потенциальных поверхностей динитрометана и его галогензамещенных показало, что в одних случаях имеется один минимум потенциальной энергии, а в других - два. [25]

Сечения потенциальных поверхностей в двух электронных состояниях линейной молекулы XY2, объясняющие происхождение непрерывного спектра поглощения. Предполагается, что обе потенциальные поверхности являются поверхностями типа, представленного на фиг. [26]

Конфигурация ядер молекулы СН3Х, для которой электронные состояния вырождены ( а. равновесные конфигурации ядер, соответствующие минимумам потенциальной поверхности ( б. сечение плоскостью 0 ( в. эквипотенциальные линии поверхности потенциальной энергии ( вблизи минимумов ( г. [27]

Расщепление потенциальной поверхности при нелинейных конфигурациях для электронных состояний, дважды вырожденных при линейной конфигурации, и влияние его на колебательные состояния и уровни энергии было рассмотрено Теллером и Реннером и называется эффектом Реннера - Теллера. [28]

Контурная диаграмма нижней части потенциальной поверхности молекулы точечной группы CSv ( или Z 3ft в вырожденном электронном состоянии. 2а н. 2Ь - две взанмио перпендикулярные компоненты вырожденной нормальной координаты. [29]

Расщепление потенциальной поверхности в вырожденном электронном состоянии носит название статического эффекта Яна-Теллера. Расщепление колебательных уровней, вызванное этим эффектом, называется динамическим эффектом fina - Теллера. Это было выполнено рядом авторов ( см. [ III ], стр. Было установлено, что происходит расщепление на столько электронно-колебательных уровней, сколько типов симметрии имеется в группах ( 133) и в аналогичных группах для других случаев. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5