Потенциальная поверхность

Cтраница 4

Теперь рассмотрим потенциальную поверхность основного состояния С02 ( фиг. [46]

Предположим, что потенциальные поверхности имеют только один выраженный минимум. [47]

Относительное расположение трех взаимодействующих атомов. [48]

Ниже мы рассмотрим потенциальные поверхности некоторых систем трех атомов, иллюстрирующие процессы обмена энергией, моно - и бимолекулярные реакции. [49]

Возбуждение флуоресценции при фотодиссоциации молекул. [50]

Неустойчивым состояниям отвечают потенциальные поверхности с энергией, превышающей энергию продуктов диссоциации молекулы; оптические переходы на такие поверхности связаны со сплошными спектрами поглощения. Таким образом, и в случае многоатомных молекул сплошные спектры поглощения обозначают фотодиссоциацию молекулы. [51]

В простейшем случае потенциальная поверхность имеет только один минимум. Кривая 3 описывает случай, представляющий особый интерес, когда потенциальная поверхность имеет два минимума. [52]

В простейшем случае потенциальная поверхность имеет только один минимум. Кривая 3 описывает случай, представляющий особый интерес, огда потенциальная поверхность имеет два минимума. [53]

Другими словами, потенциальная поверхность должна быть полносимметрична относительно перестановок индексов ядер. Функция же Ф, собственная для Не, должна преобразовываться по одному из неприводимых представлений группы перестановок. Если в молекуле имеется несколько различных наборов тождественных ядер, то для каждого набора должно выполняться такое же требование, так что в целом вся электронная волновая функция должна преобразовываться по ( прямому) произведению групп перестановок для каждого отдельного набора. [54]

Поперечное сечение потенциальной поверхности нелинейной молекулы в вырожденном электронном состоянии при сильном электронно-колебательном взаимодействии. [55]

На рис. 78 потенциальная поверхность изображена только в одной проекции. Действительно, для молекулы с осью симметрии третьего порядка ( например, молекулы СН31) у потенциальной функции должно быть три минимума в плоскости, перпендикулярной оси симметрии. Как видно из рисунка, в случае молекулы СН31 в вырожденном электронном состоянии атом иода при равновесной конфигурации молекулы не будет находиться на оси симметрии; скорее всего, будет три эквивалентных равновесных положения, несколько удаленных от оси. [56]

В работе [26] потенциальная поверхность полиметиленоксида была исследована методом оврагов. [57]

В общем случае потенциальная поверхность V ( r) может иметь несколько минимумов. Если барьер, разделяющий эти минимумы, сравнительно невелик, то в результате активации молекулярная система может обратимо переходить из одного минимума в другой. [58]

Любая неправильность на потенциальной поверхности, кроме того, что она вызывает взаимные переходы колебательных состояний в отраженных и прошедших волнах, дает также начало не распространяющимся дйффракцион-ным картинам, которые можно рассматривать как стоячие волны с экспоненциально уменьшающейся амплитудой колебаний в окрестности неправильности потенциала. Если вершина барьера достаточно широка, так что эти диффрак-ционные узоры не перекрываются, то коэфициенты прохождения у двух граней можно считать независимыми. Тогда распространяющаяся волна, представляющая реагирующую систему, на вершине барьера утрачивает все следы влияния одной грани, пока она достигает другой. В течение нахождения на вершине барьера она существует тогда в довольно хорошо определенном квазистационарном состоянии. [59]

Зависимость энергии связи от расстояния между атомами.| Изменение потенциальной энергии реагентов при движении по координате реакции. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5