Cтраница 3
Таким образом, кривая интенсивности рентгеновских лучей в зависимости от угла поворота кристалла будет иметь ряд максимумов, которые должны повториться в различных порядках отражения. На рис. 78 приведен пример такой кривой, полученной при отражении от кристалла NaCl излучения рентгеновской трубки с платиновым антикатодом. [31]
Схема дифракционной картины, получаемой по методу порошка. [32] |
Угол со независим от остальных углов, поскольку он характеризует угол поворота кристалла из некоторого начального ( произвольного) положения в отражающее. [33]
Схема дифракционной картины, получаемой по методу порошка. [34] |
Угол ( о независим от остальных углов, поскольку он характеризует угол поворота кристалла нз некоторого начального ( произвольного) положения в отражающее. [35]
Дифракционная картина, полученная в опыте Дэписсона и Дшермсра при различных углах р поворота кристалла для двух ускоряющих напряжений У, двух значений угла В, определяющих положение гальванометра. В скобках указаны индексы кристаллографических плоскостей, на которых наблюдалась дифракция. [36]
Определите угловое разделение в первом порядке между смещенной и несмещенной линиями, вызванное поворотом кристалла на требуемый угол. [37]
Поворот кристалла вокруг вертикальной оси 90, поворот счетчика вокруг вертикальной оси 90, поворот кристалла вокруг горизонтальной оси, параллельной рентгеновскому лучу, 360, поворот кристалла вокруг горизонтальной оси, перпендикулярной рентгеновскому лучу, 3; величина отсчета по нониусам 6; цена деления микрометров 0 01 мм, цена деления индикаторов 0 01 мм; величина сканирования 30 мм, максимальная скорость сканирования 20 мм / час; предельные размеры кристалла - наименьший 20 X 10 X 0 5 мм, наибольший 60 X 20 X 10 мм; питание камеры переменным током 220 в; габаритные размеры 290 х 230 X 260 мм; вес 80 кг. [38]
Коэффициент ат одинаков для всех трансляций Т, преобразующихся друг в друга при отражениях и поворотах кристалла. [39]
Используя в качестве нелинейного кристалла прустит ( Ag3AsS3), Хэнн и др. [60] при повороте кристалла получили перестройку даже в диапазоне 1 2 - 8 5 мкм. [40]
Еще большие напряжения вызывают деструкцию надмолекулярной организации, включая переориентацию сегментов цепи и ламеллярных кристаллов ( поворот кристаллов, наклон и проскальзывание цепей), раскрытие пустот и первые разрывы цепей. Эти процессы соответствуют пластической деформации. Как будет показано в последних главах, именно на этой стадии большая часть подведенной энергии переходит в тепло. [41]
Для измерения этого показателя преломления ( по В. Б. Татар скому) прямую или симметричную балку следует, поворотом кристалла на столике микроскопа, установить перпендикулярно направлению колебаний поляризатора. Измеренный при таком положении показатель преломления является одним из главных показателей кристалла. [42]
Если у - О и i - v arc sin ( kb / 2), то при повороте кристалла на 360 счетчик должен все время фиксировать отражение. Щель на счетчике первоначально устанавливают равной 2 мм и уменьшают до малых размеров после того, как поймано отражение. [43]
Сферический треугольник ориентировки монокристалла, лауэграмма которого приведена на 107. [44] |
При определении ориентировки следует иметь в виду, что проекции интересующих направлений находят по стандартной проекции, т.е. после поворота кристалла ( новая плоскость проекций), а проекции координатных осей х, у и z остаются в первоначальной плоскости проекции. [45]