Поворот - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Русский человек способен тосковать по Родине, даже не покидая ее. Законы Мерфи (еще...)

Поворот - кристалл

Cтраница 4


Поворот кристалла вокруг вертикальной оси 90, поворот счетчика вокруг вертикальной оси 90, поворот кристалла вокруг горизонтальной оси, параллельной рентгеновскому лучу, 360, поворот кристалла вокруг горизонтальной оси, перпендикулярной рентгеновскому лучу, 3; величина отсчета по нониусам 6; цена деления микрометров 0 01 мм, цена деления индикаторов 0 01 мм; величина сканирования 30 мм, максимальная скорость сканирования 20 мм / час; предельные размеры кристалла - наименьший 20 X 10 X 0 5 мм, наибольший 60 X 20 X 10 мм; питание камеры переменным током 220 в; габаритные размеры 290 х 230 X 260 мм; вес 80 кг.  [46]

До сих пор предполагали, что рентгеновские лучи одинаково рассеиваются различными узлами решетки и что усиление волн в соответствии с принципами оптической интерференции приводит к образованию дифракционных пучков, распространяющихся в определенных - направлениях при повороте кристалла на соответствующий угол. Этим чисто геометрическим способом - фиксированием наличия или отсутствия точек на фотопленке и измерением их положения - можно определить размеры элементарной ячейки, класс симметрии и очень часто - пространственную группу.  [47]

Для того чтобы воздействие сохраняло постоянную ориентацию относительно кристалла, этот источник может ( в зависимости от природы физического воздействия) либо оставаться неподвижным, либо иметь максимально одну степень свободы - вращение вокруг горизонтальной оси ( углы ф), синхронное повороту кристалла. Эта возможность позволяет решать актуальные задачи анализа структурных изменений в кристалле, подвергаемом тому или иному физическому воздействию.  [48]

49 Ориентировки циклированного аустенита, возможные в мар-тенситном пакете ( в координатах первичного кристалла. [49]

Симметрия бнго порядка в расположении ориентировок мартен - сита относительно оси [111] у, отмеченная на рис. 2.16, привела к симметрии 6-го порядка относительно той же оси и в расположении возможных аустенитных ориентировок, обозначенных порядковыми номерами в соответствии с табл. 2.2. Все возможные ориентировки аустенита, показанные на рис. 2.17, могут быть получены поворотами первичного аустенитного кристалла вокруг его оси till ] на определенные углы. При таких поворотах все три полюса 11OO1 каждой ориентировки при сведении в основной стереографический треугольник ложатся в одну точку, находящуюся на дуге окружности, проведенной через полюсы 100 первичного кристалла.  [50]

Конструкция прибора позволяет получать снимки на неподвижной цилиндрической пленке с неподвижного кристалла, укрепленного на гониометрической головке, возможная ось вращения которой совпадает с осью цилиндрической пленки; снимки с вращающегося кристалла на неподвижную цилиндрическую пленку; снимки-развертки любой слоевой линии с кристалла, поворачиваемого в заданном интервале углов, на цилиндрическую пленку, перемещающуюся синхронно с поворотом кристалла.  [51]

Можно сказать, что дифракционная картина представляет собой такую же карту обратной решетки кристалла, как и микроскопическое изображение, - карту реальной структуры кристалла. При повороте кристалла поворачивается и кристаллическая ( прямая) решетка, и обратная.  [52]

Хашимото и Уеда [38] наблюдали возникновение муаровых полос при прохождении электронного пучка через два тонких кристалла сульфида меди с расстоянием между плоскостями ( 110) d: l 88 А. При угле поворота кристаллов одного относительно другого в сотые доли радиана авторы, в согласии с указанным выше соотношением, отметили возникновение муарь вых полос с / ЭжЮО А.  [53]

Когда при повороте кристалла достигается такая ориентация намагниченности, при которой энергетические уровни ионов пересекаются ( см. фиг. Высота максимумов, которые экспериментально впервые наблюдались Диллоном [102], может достигать 5000 Э ( фиг. Их величина растет при понижении температуры. Подобные аномалии наблюдаются при очень малых концентрациях рассматриваемых ионов и, вероятно, могут быть использованы для их обнаружения.  [54]

Окончательное оформление и дальнейшее развитие все эти представления получили в упомянутых ранее работах Каргина и Соголовой [2-6], в которых показано, что весь комплекс механических свойств любых кристаллических полимеров определяется в первую очередь их кристаллическим фазовым состоянием. При деформации происходит не поворот кристаллов, который в системе цепных молекул невозможен, а рекристаллизация, обусловленная зависимостью температуры плавления кристалла от его ориентации относительно направления действия сил. Кристаллы, ослабляемые растягивающими силами, рекристаллизуются в кристаллы, упрочняемые силовым полем. Процессу рекристаллизации также способствует неупорядоченность кристаллических полимеров.  [55]

Положение приемника и углы поворота кристалла задаются своей собственной бортовой ЭВМ дифрактометра, в которую нужно лишь заложить предварительные данные о симметрии и размерах кристаллической ячейки. А затем машина сама будет вертеть кристалл и приемник до тех пор, пока не получит сведений о интенсивности икс-лучей, рассеянных кристаллом, во всех нужных точках. Каждая точка требует 2 - 3 секунды, так что всю картину можно отснять за несколько суток. После этого накопленная информация передается на большую ЭВМ, а первая, бортовая, может браться за следующую задачу. Машины для таких работ требуются очень высокого класса. Класс бортовой - примерно такой же, как в спектрометрах ЯМР с Фурье-преобразованием.  [56]

В обычном методе вращения на рентгенограмме регистрируется только направление дифракционного луча, о не ориентации кристалла в момент отражения. В методе качания задается интервал поворота кристалла - его исходное и конечное положения.  [57]

Двум линиям Ка и К соответствуют две длины волны X и Я0 и два угла скольжения фа и фр. Сильные отражения, возникающие при углах поворота кристалла ра и фц ( по отношению к падающему пучку), приводят к появлению черных полос / и / s на рентгеновской пленке.  [58]

При съемке на движущуюся пленку перемещение кассеты синхронизировано с вращением кристалла. Следовательно, величина смещения пятна определяет угол поворота кристалла из некоторого первоначального положения.  [59]

Эти соотношения являются простым следствием закона сохранения энергии. Последнее можно доказать из требования равенства нулю работы поворота кристалла на угол 2тс вокруг любой оси.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5