Примесное поглощение

Cтраница 1

Спектральные зависимости оптических потерь и кварцевом стенле, легированном германием. J - поглощение, оОу словленное электронными переходами. е - ролесвскос рассеяние. з - поглощение, обусловленное колебаниями реше т - 0 8 ЛУ эВ ни. 4 - суммарные потери.| Спектр оптических потерь одномодового волоконного световода. [1]

Примесное поглощение в указанном спектральном диапазоне определяется гл. [2]

Спектр поглощения фосфида галлия, легированного теллуром. [3]

Примесное поглощение может быть следствием многих процессов. Если оптические переходы осуществляются из мелких примесных состояний в одну из разрешенных зон, то процессы поглощения сопровождаются генерацией носителей заряда одного знака, и спектр поглощения имеет вид сравнительно широкой полосы. Эта полоса лежит непосредственно вблизи края собственного поглощения, частично перекрываясь с ним. Примесное поглощение, связанное с глубокими примесями, проявляется обычно в виде широких бесструктурных полос, простирающихся от энергий фотонов, соответствующих энергии ионизации примеси до края собственного поглощения. Наряду с наиболее интенсивной линией А в спектре имеется система сходящихся к ней более слабых линий. [4]

Примесное поглощение наблюдается в полупроводниках и диэлектриках, содержащих примесные атомы. В этом случае поглощение света связано с возбуждением примесных центров или с их ионизацией. Например, в материале n - типа электроны с донорных уровней могут быть возбуждены в зону проводимости. [5]

Коэффициент поглощения германия р-типа ( сплошная кривая и относительный фотоответ германия р-типа, легированного индием, при температуре 5 К. [6]

Примесное поглощение имеет вид узких полос, если происходит переход электрона между дискретными уровнями энергии, соответствующих возбужденному состоянию примеси, и сравнительно широких полос при фотоионизации. [7]

Примесное поглощение приводит к генерации носителей заряда одного типа. [8]

Примесное поглощение имеет вид узких полос, если происходит переход электрона между дискретными уровнями энергии, соответствующими возбужденному состоянию примеси, и сравнительно широких полос при фотоионизации. [9]

Примесное поглощение приводит к генерации носителей заряда одного типа. [10]

Спектры поглощения сое - [ IMAGE ] - 18. Спектр поглощения фос. [11]

Примесное поглощение, связанное с возбуждением или ионизацией примесных атомов, наблюдается в области длин волн за краем основной полосы. Положение полос примесного поглощения определяется природой примесных центров и зависит от содержания примесей в материале. Образование примесной зоны при высоком уровне легирования может привести к смещению края основной полосы в коротковолновую область спектра. Этот эффект проявляется особенно ярко в соединениях AlllBv с узкой запрещенной зоной. [12]

Теория примесного поглощения в молекулярных кристаллах разработана и экспериментально подтверждена в электронно-колебательной части спектра для случая малых концентраций примеси. В данной же работе использовались большие концентрации, при которых существенную роль играет резонансное взаимодействие между молекулами самой примеси. Не исключена возможность, что при больших концентрациях мы имеем дело уже не с твердым раствором, а со смесью кристаллов. Если исходить из такой точки зрения, то при дальнейшем увеличении концентрации примеси величина расщепления и отношения интенсивностей компонент дублета должны приближаться к соответствующим значениям для чистого кристалла. Действительно, при концентрации СН2С12 12.5 моль / л в СН2Вг2 различие между отношениями интенсивностей компонент в растворе и чистом кристалле уменьшается, однако величина расщепления все еще остается намного меньше, чем в чистом кристалле. [13]

Изменение общей светочувствительности S и спектрального примесного поглощения Д. со временем второго созревание AgBr - ( / и АвВг ( 1-эмульсий ( II - IV. [14]

Кривые спектрального примесного поглощения, характеризующиеся тонкой структурой, при втором созревании сначала равномерно повышаются, а затем понижаются. Поэтому наблюдается подобие и прохождение через максимум кривых зависимости примесного поглощения для разных К от времени созревания. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5