Примесное поглощение

Cтраница 2

При примесном поглощении энергия фотона затрачивается на ионизацию атрмов примеси. В полупроводниках донорные примеси расположены вблизи дна зоны проводимости, акцепторные - около потолка валентной зоны. Спектр примесного поглощения смещен относительно спектра собственного в инфракрасную область. [16]

Спектр поглощения полупроводника. [17]

В области примесного поглощения при ХАГр может наблюдаться несколько полос поглощения. Основная полоса вызвана примесным возбуждением носителей заряда. Граничная длина волны, соответствующая примесному поглощению: ) Jrp hc / Eup. Дополнительные области соответствуют переходам носителей заряда с уровней и на уровни, образованные различными примесями и дефектами решетки. Фотопроводимость наблюдается на всех полосах частот примесного поглощения. [18]

В результате примесного поглощения, как и в случае термической ионизации атомов примесей, генерируются подвижные носители лишь одного знака: электроны в зоне проводимости при ионизации донорных атомов и дырки в валентной зоне при ионизации акцепторных атомов. [19]

В случае примесного поглощения в полупроводнике преобладают неравновесные носители одного знака. [20]

Зависимость показателя преломления обыкновенного ( я0 и необыкновенного пе лучей в политипах карбида кремния от длины волны при Т300 К.| Двойное лучепреломление А п в политипах карбида кремния при А 6 2 8 нм. 7300 К.| Спектральная характеристика поглощения различных политипов карбида кремния при. [21]

Спектральная характеристика примесного поглощения в кристаллах 6ff - SiC р-типа проводимости, легированных алюминием и бором, имеет вид широких полос с максимумами при 0 62 и 1 7 эВ соответственно. [22]

Подобные исследования примесного поглощения особенно актуальны в связи с проблемой получения сверхчистых полупроводниковых материалов. Обратим внимание на тот факт, что предельная чувствительность в обнаружении малых концентраций примеси может быть достигнута только при применении спектрометра с шириной аппаратной функции не больше ширины линии примесного поглощения. [23]

Зависимость фотопроводимости германия с примесями Mn, Ni, Со и Fe от энергии фотонов AV. [24]

В случае примесного поглощения интенсивность генерации носителей fikJ изменяется нелинейно с изменением интенсивности света, так как коэффициент поглощения света k в примесной области поглощения не остается постоянным ( k зависит от /), а уменьшается с увеличением интенсивности света из-за заметного опустошения примесных центров. Поэтому люксамперная характеристика в области примесной фотопроводимости будет линейна лишь при малых интенсивностях света, и будет достигать насыщения для больших интенсивностей света при полном опустошении примесных центров. [25]

Спектры оптического поглощения кристаллов карбида кремния, легированных бором, при разных температурах. [27]

Спектральная характеристика примесного поглощения в кристаллах бЯ - SiC, легированных алюминием и бором, имеет вид широких полос с максимумами при 0 62 и 1 7 эВ соответственно. [28]

В случае примесного поглощения в полупроводнике преобладают неравновесные носители одного знака. [29]

Схема электронных переходов в оптическом поглощении. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5