Примесное поглощение
Cтраница 4
При освещении свежеохлажденных кристаллов светом из области примесного поглощения образование коллоидной полосы явно протекает за счет разрушения примесной полосы ( фиг. [46]
Длинноволновая граница примесной проводимости в соответствии с примесным поглощением сдвинута в сторону больших длин волн относительно собственной фотопроводимости. Коэффициент поглощения в примесной области зависит от интенсивности возбуждающего света, так как вероятность поглощения фотонов определяется степенью заполнения примесных уровней. [47]
При еще меньших энергиях квантов света может происходить примесное поглощение, если не все примеси ионизированы при данной температуре. [48]
При еще меньших энергиях квантов света может происходить примесное поглощение, если не все примеси ионизированы при данной температуре. Примесному поглощению соответствует один или несколько максимумов в спектре поглощения при энергиях квантов света, равных энергиям ионизации примесей. [49]
Понятно, что коэффициент поглощения а0 в случае примесного поглощения существенно зависит от температуры. При комнатных температурах мелко залегающие уровни примеси почти все термически ионизированы, поэтому вероятность примесного пог - ЛОЩеНИЯ фОТОНОВ НОВ9ЛИКа; ПРИ бОЛее НИЗКИХ ТеМПературах интенсивность примесного поглощения увеличивается. [50]
Чтобы убедиться в том, что наблюдаемое уменьшение примесного поглощения действительно является результатом освещения, и избежать ошибок, вызванных различной скоростью падения поглощения в двух кристаллах, эти опыты были повторены много раз на различных парах кристаллов. Все измерения дали, по существу, одинаковые результаты, хотя абсолютные значения коэффициентов поглощения в коротковолновой области были не вполне воспроизводимы. Можно думать, что два кристалла, использованные для целей сравнения, могли случайно обладать различными свойствами. [51]
Понятно, что коэффициент поглощения а0 в случае примесного поглощения существенно зависит от температуры. При комнатных температурах мелко залегающие уровни примеси почти все термически ионизированы, поэтому вероятность примесного пог - ЛОЩеНИЯ фОТОНОВ НОВ9ЛИКа; ПРИ бОЛее НИЗКИХ ТеМПературах интенсивность примесного поглощения увеличивается. [52]
Продолжим теперь обсуждение оптических свойств кристаллов в области примесного поглощения света. [53]
Кириллов [78] обнаружил и подробно исследовал тонкую структуру в-спектре примесного поглощения галогенида серебра. Объектами исследования были пленки чистой соли, полученные вплавлением между кварцевыми пластинками или термическим напылением в вакууме, а также прозрачные слои мелкозернистых эмульсий липмановского типа. [54]
Следует, однако, обратить внимание на меньшие значения коэффициента примесного поглощения по сравнению с коэффициентом поглощения для непрямых переходов. Причина этого - меньшее число состояний на примесных уровнях по сравнению с разрешенными зонами энергий. [55]
 |
Энергетические уровни примесей в полупроводнике.| Спектр примесного поглощения света мышьяком.| Возникновение э. д. с. на обкладках полупроводника при освещении светом. [56] |
На рис. 4 - 79 представлена зависимость коэффициента пропускания, вызванная примесным поглощением в мышьяке. [57]
 |
Край собственного поглощения.| Положение края собственного поглощения в полупроводниках A 1BV.| Край собственного поглощения фосфида галлия. [58] |
Различают следующие механизмы оптического поглощения: собственное поглощение, решеточное поглощение, примесное поглощение, поглощение свободными носителями заряда. [59]
Удовлетворительной теоретической модели глубоких примесных состояний пока нет, и это затрудняет описание примесного поглощения с участием таких состояний. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5