Примесное поглощение
Cтраница 3
Если в примесном поглощении участвуют глубокие примесные состояния, то такие переходы будут давать вклад в поглощение за краем поглощения в более длинноволновой области спектра. [31]
СО в полосе примесного поглощения TiUg по - ZM и 0 - С2) на поверх - видимому отличается от механизма реакции нести ZnO спектры отра - в полосе собственного поглощения. СО с фотоиндуцированныш С - на Ti02 ( полное выделение С02 происходит около 500 К) и изменение порядков реакции от 0 2 по Og и 0 6 по СО в полосе собственного поглощения до 0 8 по U2 и 0 3 по СО при освещении полным излучением ртутной лампы когда вклад примесного фотокатализа значителен. [32]
На рис. 114 показаны примесное поглощение ( переходы 3, За, 36, Зв) и межпримесное поглощение ( переход 4), происходящие при участии локальных примесных состояний. Атомы примеси при этом могут переходить из нейтрального состояния в ионизированное, как в переходах 3 - За, и, наоборот, из ионизированного состояния в нейтральное, как в переходах 36 - Зв. В межпримесных переходах также изменяется зарядовое состояние примесных уровней. Спектральные области, в которых вклад в поглощение дают переходы 3 - За и 36 - Зв, отстоят довольно далеко одна от другой для мелких примесных состояний. [33]
На рис. 104 показаны примесное поглощение ( переходы 3, За, б, в) и межпримесное поглощение ( переход 4), происходящие при участии локальных примесных состояний. Атомы примеси при этом могут переходить из нейтрального состояния в ионизированное, как в переходах 3 и За и, наоборот, из ионизированного состояния в нейтральное, как в переходах 36 и Зв. В межпримесных переходах также изменяется зарядовое состояние примесных уровней. Спектральные области, в которых вклад в поглощение дают переходы 3 - За и 36 - Зв, отстоят довольно далеко одна от другой для мелких примесных состояний. [34]
На рис. 114 показаны примесное поглощение ( переходы 3, За, 36, Зв) и межпримесное поглощение ( переход 4), происходящие при участии локальных примесных состояний. Атомы примеси при этом могут переходить из нейтрального состояния в ионизированное, как в переходах 3 - За, и, наоборот, из ионизированного состояния в нейтральное, как в переходах 36 - Зв. В межпримесных переходах также изменяется зарядовое состояние примесных уровней. Спектральные области, в которых вклад в поглощение дают переходы 3 - За и 36 - Зв, отстоят довольно далеко одна от другой для мелких примесных состояний. [35]
 |
Схема переключателя, включаемого светом, и вольт-амперная характеристика тиристора без освещения ( 1 и с освещением ( 2. [36] |
Фоточувствительность S-диодов в области примесного поглощения усиливается значительно сильнее, чем в области собственного поглощения. [37]
Может иметь место также и примесное поглощение, обусловленное переходами из основной ( валентной) зоны на пустые донорные уровни вблизи дна зоны проводимости, а также переводом электронов с заполненных акцепторных уровней в зону проводимости. Последний механизм должен давать поглощение как раз за краем собственной полосы поглощения. Примесное поглощение этого вида при небольшой концентрации примеси обычно очень слабое и незаметно на фоне поглощения света свободными носителями тока. Опыты по определению формы края собственного поглощения, как правило, проводятся на кристаллах с максимально достижимой степенью чистоты, и такого рода поглощение в них не наблюдается. В случае более глубоко лежащих донорных уровней область примесного поглощения должна быть отделена от области собственного поглощения, однако в этом случае и вероятность ионизации доноров, а следовательно, и количество незанятых донорных уровней меньше. Необходимо отметить, что спектр примесного поглощения состоит из серии линий у края собственной полосы, положение которых примерно такое же, какое следует ожидать и для экситонного спектра. Поэтому возможно, что некоторые из спектров, которые приписывались экситонам, на самом деле обусловлены примесью, обладающей водородоподобной серией уровней. [38]
Таким образом, в случае примесного поглощения, приводящего к генерации основных носителей заряда, поле Кикоина - Пескова равно нулю. [39]
Таким образом, б случае примесного поглощения, приводящего к генерации основных носителей заряда, поле Кикоина - Носкова равно нулю. [40]
 |
Схема оптических переходов в примесном полупроводнике. [41] |
При выводе (14.67) предполагалось, что примесное поглощение на частоте ыг отсутствует. [42]
Максимального значения оп достигает вблизи края примесного поглощения. [43]
Сейчас же продолжим обсуждение формы спектров примесного поглощения. [44]
При рассмотрении фотокаталитических реакций окисления в полосе примесного поглощения окислов главное внимание следует уделять рассмотрению процессов взаимодействия квантов с поверхностными состояниями, обусловленными поверхностными связями Me - 0 и разными формами хемосорбированных реактантов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5