Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Подвижность - носитель

Cтраница 1

Подвижность носителей в канале уменьшается также при возрастании напряженности продольной составляющей Еу поля в канале. При этом дрейфовая скорость входит в режим насыщения. Этот эффект особенно заметен в приборах с коротким каналом и аналогичен насыщению дрейфовой скорости в объеме полупроводника, о котором упоминалось в предыдущей главе. Однако в данном случае величина дрейфовой скорости насыщения уменьшается с ростом поперечной составляющей Ех поля в канале.  [1]

Пропорциональная зависимость между шириной запрещенной зоны в т. Г при 0 К и эффективной массой электронов проводимости тен в двухком-понентных полупроводниках AIHBV с минимумом ширины запрещенной зоны в т. Г. Но т - масса покоя электронов в вакууме. Следовательно, подвижность электронов проводимости почти обратно пропорциональна ширине запрещенной зоны в т. Г.  [2]

Подвижность носителей пропорциональна средней величине времени релаксации при рассеянии и обратно пропорциональна эффективной массе.  [3]

Подвижность носителей тестю связана с природой колебаний кристаллической решетки или молекулы. Движение электронов происходит существенно быстрее, тем перемещение атомных ядер в кристаллической решетке или молекуле. Поэтому в рамках приближения Борца - Оппенгеймера процесс переноса электронов не сопровождается обменом энергией с окружающей средой во время перескока электрона из одной позиции в другую.  [4]

Подвижность носителей уменьшается с увеличением концентрации примесей, а следовательно, с уменьшением величины удельного сопротивления полупроводникового материала.  [5]

Подвижность носителей в - кремнии при низких температурах ( 150 К) уменьшается примерно на порядок при облучении потоком нейтронов Ф 3 - 1014 нейтр / см2, а при комнатной температуре - примерно в 2 раза.  [6]

Подвижность носителей в полупроводниках того же порядка, что и в металлах, но концентрация носителей в полупроводниках на несколько порядков меньше, чем в металлах. Поэтому значения постоянной R для чисто электронных или чисто дырочных полупроводников значительно больше, чем для металлов.  [7]

Подвижность носителей изменяется в зависимости от способа получения сапфира и ориентации подложки в широких пределах.  [8]

Изменение коэффициента Холла R, сопротивления р и подвижности i, для германиевых р-пленок в зависимости от их толщины.  [9]

Подвижность носителей в ге-пленках при комнатной температуре равна 800 см2 / в-сек.  [10]

Изменение подвижности дырок в конденсатах германия при 100 и 300 К в зависимости от температуры конденсации. Сплошные линии. к 15 000 А / лшн. Л 15 000 - 23 000 А. штриховые линии. г 575 А / мин, Л 1150 А. штрих-пунк.  [11]

Подвижность носителей увеличивается также с ростом толщины пленок, причем характер соответствующих зависимостей определяется условиями препарирования. Этот факт, как и влияние на подвижность температуры конденсации, Слупе и Тиллер объясняют более высоким совершенством пленок.  [12]

Свойства пленок CdS, осажденных на сапфире.  [13]

Подвижность носителей в конденсированных пленках CdS определяется содержанием примесей в материале источника.  [14]

Подвижность носителей в лучших монокристальных образцах, полученных при tK 400 С, достигает при комнатной температуре 1600 - 2000 см2 / в-сек.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5