Подвижность - носитель
Cтраница 4
Величина v называется подвижностью носителей. [46]
В материалах с низкой подвижностью носителей интенсивность этого процесса возрастает вследствие значительного взаимного притяжения фотоге-нерированных электронов и дырок под действием кулоновских сил. Потери носителей заряда, вызываемые излучательной рекомбинацией, уменьшаются также и при увеличении энергии фотонов, поскольку фотогенерированным носителям, обладающим более высокой начальной кинетической энергией, легче преодолеть кулоновское притяжение. Как показывают экспериментальные исследования, интенсивность излучательной рекомбинации в a - Si: Н зависит от концентрации дефектов, поэтому в высококачественных пленках ее влияние может оказаться незначительным. [47]
Что понимается под подвижностью носителя электрического заряда. [49]
 |
Зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках от температуры. [50] |
С повышением Содержания примеси подвижность носителей уменьшается и максимум кривой и ( Т) смещается в сторону высоких температур. [51]
Здесь предполагается, что подвижность носителей в приповерхностном слое такая же, как и объеме. [52]
Плотность дефектов влияет на подвижность носителей. А так как площадь межзеренных границ обратно пропорциональна р азмеру зерна ( S-R - l), то электрические параметры слоев будут определяться в первую очередь размером зерен в поликристаллическом слое. Заключение о размере зерен сделано по рентгеновским данным ( по уширению дебаевских колец), а также по изучению морфологии поверхности образцов. Такая оценка показала, что повышение температуры наращивания, увеличение толщины слоя или снижение концентрации гидрида приводит к увеличению размеров зерен и как следствие этого возрастанию подвижности носителей заряда и снижению концентрации акцепторов. [53]
Следует отметить, что подвижности носителей в ионных кристаллах еще слабо изучены. Поляроном называется электрон, находящийся на энергетическом уровне, расположенном в запрещенной зоне ниже дна зоны проводимости. [54]
Если же концентрация или подвижность носителей одного знака ( например, электронов) больше, чем другого, то они диффундируют на холодный конец в большом количестве, пока возникшее вследствие этого поле ( тормозящее электроны и ускоряющее дырки) не уравняет оба потока. [55]
Интересно отметить, что подвижность носителей в высокоомном GaAs может быть гораздо меньше, чем в низкоомном, даже когда некоторые высокоомные образцы имеют малую общую концентрацию примесей. В полупроводнике n - типа измерения дают для подвижности значения, лежащие между 800 и 7000 смг. [56]
Влияние на концентрацию и подвижность носителей примесей других элементов, которые не входят в химический состав ( и не вводятся для замены одного из компонентов) теллурида свинца, до сих пор очень мало изучено. Относительно хорошо установлено, что висмут и сурьма действуют как доноры ( они в значительном количестве растворяются в РЬТе полностью), а элементы третьей группы - как акцепторы. [57]
Влияние на концентрацию и подвижность носителей примесей других элементов, избыточных по отношению к стехеометрическому составу ( а не вводимых взамен одной из компонент) теллуристого свинца, изучено еще очень слабо; относительно достоверно известно, что висмут и сурьма и в этом случае ведут себя как доноры ( причем растворяются в РЬТе в довольно широких пределах), а элементы III группы - как акцепторы. [58]
Влияние на концентрацию и подвижность носителей примесей других элементов, которые не входят в химический состав ( и не вводятся для замены одного из компонентов) теллурида свинца, до сих пор очень мало изучено. Относительно хорошо установлено, что висмут и сурьма действуют как доноры ( они в значительном количестве растворяются в РЪТе полностью), а элементы третьей группы - как акцепторы. [59]
Расчет, учитывающий уменьшение подвижности носителей с ростом их концентрации, и проведенные эксперименты показывают, что при рабочей плотности тока ( / 100 а / см2) потери на базе такой толщины довольно велики. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5