Подвижность - носитель
Cтраница 3
Значительное влияние на подвижность носителей оказывают сравнительно небольшие потенциальные барьеры в пленке, появление которых вызвано ее структурными несовершенствами. В эпитаксиальных пленках InP, получаемых на подложках из фосфида индия, легированного железом, концентрация электронов превышает 1016 см-3. Наличие в пленках р - InP, получаемых вакуумным испарением [80], температурной зависимости подвижности носителей ( показанной на рис. 3.12) свидетельствует об их рассеянии границами зерен. Ом - см. Электрические свойства пленок InP, легированных серой, находятся в сильной зависимости от условий процесса осаждения и концентрации примеси. Оценочные расчеты показали, что в пленках р-типа диффузионная длина электронов составляет около 0 2 мкм. [31]
При этом уменьшается подвижность носителей, и в результате ширина характеристики уменьшается. Увеличение л0 приводит к увеличению Еп и меньшим избыткам напряжения сверх порогового, необходимым для развития ударной ионизации в домене. [32]
Так как и подвижности носителей л и цр и концентрация их п и р зависят от температуры полупроводника, то согласно выражению ( 151) полная электропроводность 0 будет также зависеть от температуры. [33]
С повышением температуры подвижность носителей уменьшается. [34]
Допуская, что подвижность носителей с увеличением сопряжения меняется медленно, считаем, что изменение NSH с температурой связано с увеличением числа сопряженных участков. Энергия активации образования сопряженной системы, рассчитанная из экспериментальных данных, равна 4 эв, что является приемлемой величиной. Ширина запрещенной зоны, равная 0 2 эв, может быть связана с активацией ковалентных связей азота. [35]
 |
Изменение электрических свойств пленок InSb ( при комнатной температуре в зависимости от tK. [36] |
С утолщением пленок подвижность носителей возрастает а их концентрация убывает. [37]
 |
Температурная зависимость оптической ширины запрещенной зоны GaSe при различных значениях коэффициентов поглощения.| Спектры отражения монокристаллов GaS и CaSe при 300 К. [38] |
В работе [23] подвижность носителей GaSe р-типа была равна 15 см. / в-сек и концентрация дырок составляла 1016слГ3, a. [39]
 |
Спектры отражения монокристаллов GaS и CaSe при 300 К. [40] |
В работе [23] подвижность носителей GaSe р-типа была равна 15 см / в - сек и концентрация дырок составляла 1016слГ3, a. [41]
Характер температурной зависимости подвижности носителей ( см. следующий абзац) и наблюдение частотной зависимости фотопроводимости переменного тока [139] дают дополнительные доказательства, подтверждающие модель перескока носителей тока в комплексах с переносом заряда. В то время как зонная проводимость представляет собой процесс, не зависящий от частоты, перескок носителей между локализованными состояниями приводит к частотной зависимости фотопроводимости переменного тока. Это явление наблюдается для комплекса поли ( М - винилкарбазол) - TNF, в котором авторы работы [139] обнаружили зависимость jph - ш, причем показатель степени п возрастает от 0 25 при 300 К до 0 8 при 100 К. Последнее значение соответствует одностадийным перескокам между парой центров, а первое - многостадийным перескокам, вероятность которых повышается с возрастанием температуры. [42]
Рассмотрим сначала зависимость подвижности носителей от температуры. Подвижность носителей заряда в реальных кристаллах определяется механизмом рассеяния. Чаще всего в полупроводниках преобладают два механизма рассеяния - на ионизированной примеси и на тепловых колебаниях решетки. Рассеяние на ионизированной примеси является преобладающим при малых температурах, когда тепловыми колебаниями можно пренебречь. [44]
Особенно большими значениями подвижности носителей должны обладать полупроводниковые вещества с непрерывной пространственной сеткой тетраэдр ических ковалентных связей, к которым относится большинство соединений AIUBV. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5