Cтраница 5
Уменьшение электропроводности обусловлено снижением подвижности носителей при постоянстве концентрации носителей тока. [61]
Для получения максимальной величины подвижности носителей в эпн-таксиальных слоях GaAs, выращиваемых на подложках полуизолирующего GaAs, легированного Сг, предпочтительнее использовать в качестве подложек монокристаллические слитки GaAs с крупноячеистой структурой, у которых границы ячеек состоят из сравнительно широких дислокационных сплетений. [62]
Было сделано несколько попыток определить подвижность носителей из значения коэффициента Зеебека и / или из предэкспоненциального множителя в температурной зависимости проводимости. Результаты оказались довольно сомнительными и часто противоречивыми, поскольку используемые для их интерпретации модели были разработаны для ковалентных полупроводников и вряд ли применимы к молекулярным кристаллам. [63]