Cтраница 4
В этом простейшем случае после аннигиляции выживают те СТД, исходная концентрация которых в кристалле была выше. Иная ситуация складывается при малых V / G, когда преобладающую роль играют диффузионные потоки. При охлаждении кристалла дефекты исчезают парами, однако для более быстродиффундирующего типа дефектов эти потери восполняются скорее благодаря диффузионному подводу от фронта кристаллизации. В результате выживает тот тип СТД, у которого исходное произведение DC больше, независимо от того, больше или меньше сама его исходная концентрация С. Наиболее интересная ситуация складывается в том случае, когда СТД с меньшей исходной концентрацией С имеют более высокое значение произведения DC благодаря большей диффузионной подвижности. Тогда этот тип дефектов оказывается доминирующим ( после аннигиляции) при малых V / G, но уступает эту роль своему конкуренту при больших V / G. При некотором промежуточном, пороговом значении V / G происходит практически полная взаимная аннигиляция обоих типов СТД. [46]
Значительный интерес представляет возможность создания полигонизованной структуры в результате полиморфного превращения. В последнем случае дислокации сосредоточиваются, как показали рентгеноструктурные и злектрошюми-кроскопические исследования, на границах пластинок а-фазы. Эффект полигонизации, очевидно, должен зависеть от скорости охлаждения. Оптимальной представляется некоторая средняя скорость: с увеличением скорости охлаждения возрастают напряжения и плотность дислокаций, однако ухудшаются условия для диффузионного подвода вакансий, необходимого для переползания. В то же время при очень медленном охлаждении обеспечиваются условия диффузии, но плотность дислокаций недостаточна. [47]