Вольфрамовое покрытие

Cтраница 3

Следует отметить работу [374], в которой был предложен метод нанесения вольфрамовых покрытий в присутствии паров различных эфиров. Скорость этого процесса была незначительна - 0 мкм / час. [31]

Они считают, что катодное распыление играет определяющую роль в процессах отбора при росте вольфрамовых покрытий. [32]

В настоящее время наиболее высокие эмиссионные характеристики в ядерных ТЭП получают на монокристаллических молибденовых катодах с монокристаллическим вольфрамовым покрытием. По этой причине получение качественных ориентированных покрытий из молибдена и вольфрама становится одной из важнейших проблем в технологии ядерных ТЭП. [33]

Влияние температуры образца на содержание углерода и микротвердость карбонильных металлических покрытий. [34]

Учитывая, что в чистом W2C содержится 3 16 % углерода, ориентировочно можно установить зависимость содержания фазы W2C в вольфрамовом покрытии от температуры образца. С ростом температуры содержание карбида уменьшается, и он целиком исчезает при 1000 С. При этой температуре процесса углерод может находиться в покрытии, по-видимому, лишь в виде твердого раствора. [35]

Часть книги посвящена обзору работ по нанесению молибденовых покрытий, а также важному вопросу с точки зрения технологии ТЭП - нанесению вольфрамовых покрытий на молибден. Рассматриваются требования к покрытиям ТЭП, дается оценка эффективности различных методов нанесения покрытий. Особое внимание уделено методам химического осаждения молибдена, а также осаждения вольфрама на молибден из газовой фазы хлоридов и фторидов, которые являются, основными и получили широкое применение в технологии ТЭП. [36]

При испытании молибденовых эмиттеров с тонким вольфрамовым покрытием были получены аналогичные результаты, но выраженные более слабо. Минимальная толщина вольфрамового покрытия, по данным работы [171], должна быть не менее 100 мкм, чтобы предупредить диффузию молибдена на поверхность вольфрамового покрытия в процессе эксплуатации ядерного ТЭП. На подготовленную таким образом поверхность молибдена наносится покрытие из вольфрама с крупнокристаллической структурой, которая обеспечивается высокотемпературным процессом покрытия. Граничная диффузия атомов молибдена через вольфрамовое покрытие с такой структурой сильно снижается вследствие уменьшения поверхности и границ зерен, а объемная диффузия практически при этом отсутствует. [37]

Такое дуплексное покрытие обеспечивает высокую работу выхода электронов ( 4 9 - 5 0 эВ), имеет высокое сопротивление ползучести и стабильность структуры зерна при рабочей температуре. Чтобы предупредить и уменьшить растворимость вольфрамового покрытия в карбидном топливе, к последнему рекомендуется добавить перед прессованием и спеканием около 4 % порошка металлического вольфрама. После спекания в таком топливе свободный вольфрам отсутствует, так как он полностью переходит в соединение UWC2, равномерно распределенное в матрице. [38]

Метод ( вакуумного напыления имеет следующие недостатки: 1) большие потери, напыляемого металла; 2) загрязнение покрытия остаточными газами в камере и в исходном металле; 3) трудность нанесения толстых покрытий тугоплавких металлов из-за низкой летучести и малой скорости испарения осаждаемого металла; 4) сложность нанесения равномерных по толщине покрытий на подложки с рельефной поверхностью; 5) недостаточная термическая стабильность покрытия из-за большого различия в температурах зон конденсации и испарения; 6) невозможность получения текстурированных покрытий из-за сложности регулирования режима осаждения; 7) недостаточная адгезия покрытия; 8) пористость покрытия. Вследствие этих недостатков данный метод нанесения молибденовых и вольфрамовых покрытий широко не применяется. [39]

Разная скорость трансформации структуры покрытий, наносимых в условиях пространственного согласования и несогласования, связана с различной скоростью накопления структурных дефектов в процессе роста. Наиболее наглядными с этой точки зрения являются вольфрамовые покрытия. [40]

Расчетная ( / и экспериментально найденная ( 2 плотность вольфрамовых покрытий. [41]

Плотность покрытий, как правило, связана с пористостью: наиболее плотные покрытия являются практически беспористыми. На рис. 83 показан характер изменения плотности вольфрамовых покрытий, полученных А. А. Уэльским при температуре карбонила 70 С на подложках, нагретых до 400 - 800 С. Расчетная кривая получена в зависимости от температуры образца исходя из процентного содержания фазы W2C в покрытии, плотность которой равна 17 2 г / сма. Различие расчетных и экспериментальных данных связано с наличием в покрытиях пор и трещин. С увеличением температуры образца более 500 С количество их возрастает, что приводит к снижению плотности вольфрамовых покрытий. [42]

Схема установки для водородного восстановления. [43]

Ро уменьшается от 12 до 1, то содержание примесей в осадке, в том числе фтора и кислорода, будет возрастать. Как показано в работах [103, 160], скорость осаждения вольфрамового покрытия достаточно высока и толщину осаждаемого слоя легко можно регулировать временем осаждения. [44]

При этом работа выхода электронов с поверхности эмиттера не уменьшается. Однако в условиях облучения при работе ТЭП реакция взаимодействия карбидного топлива с вольфрамовым покрытием интенсифицируется. При этом около половины толщины промежуточного слоя образуется, по-видимому, за счет вольфрама. [45]

Страницы: 1 2 3 4