Cтраница 4
Из соединений вольфрама, имеющих практическое значение, отметим следующие. Гексахлорид вольфрама WC16 вследствие низкой температуры кипения ( 348 С) используется для нанесения вольфрамовых покрытий на металлы. Трехокись вольфрама УОз служит исходным материалом для получения вольфрама и его карбида, для окрашивания керамических и стеклянных изделий в желтый цвет и как катализатор. Карбидами вольфра-м a WC, W2C оснащают рабочие поверхности долот нефтяного бурения и других деталей, инструментов. [46]
В 1982 - 1984 годах были проведены еще два энергетических испытания ЯЭУ совместно с САУ в автоматическом режиме, имевших целью непосредственную подготовку к летным испытаниям. В первом из них применялись ЭГК, имеющие эмиттерные узлы из монокристалла молибдена с монокристаллическим вольфрамовым покрытием; во втором - ЭГК с эмиттерными узлами из монокристалла молибдена. Продолжительность испытаний первого образца составила около 4500 часов, второго - около 7000 часов. [47]
Эта разница может быть настолько большой, что на катоде разряжаются ионы металлов, осаждение которых в чистом виде йообще невозможно из водных растворов. Примером может служить электролитическое получение сплавов вольфрама с никелем, железом и другими металлами, в то время как чисто вольфрамовые покрытия получить не удается. Осаждение сплавов Си-Zn, Аи-Ag, Си - Sn, Fe-Сг и многих других происходит в виде твердых растворов. В тех случаях, когда кристаллизация осаждаемых на катоде металлов происходит раздельно, осаждение сплава начинается только после достижения потенциала выделения более благородного металла. Так происходит осаждение сплавов Си-Аи, Cd-Ag и некоторых других. [48]
При испытании молибденовых эмиттеров с тонким вольфрамовым покрытием были получены аналогичные результаты, но выраженные более слабо. Минимальная толщина вольфрамового покрытия, по данным работы [171], должна быть не менее 100 мкм, чтобы предупредить диффузию молибдена на поверхность вольфрамового покрытия в процессе эксплуатации ядерного ТЭП. На подготовленную таким образом поверхность молибдена наносится покрытие из вольфрама с крупнокристаллической структурой, которая обеспечивается высокотемпературным процессом покрытия. Граничная диффузия атомов молибдена через вольфрамовое покрытие с такой структурой сильно снижается вследствие уменьшения поверхности и границ зерен, а объемная диффузия практически при этом отсутствует. [49]
Высший хлорид вольфрама WC16 служит исходным сырьем для получения металлического вольфрама путем водородного или металлотермического восстановления. Гексахлорид вольфрама является удобным соединением для глубокой очистки и последующего получения вольфрама особой чистоты. Гексахлорид вольфрама применяют также для получения вольфрамовых покрытий восстановлением водородом примерно при 1000 С. [50]
Наиболее низкое суммарное сопротивление в замкнутом состоянии ( примерно 25 мОм) имеют МК нормального размера с серебряным покрытием и заполнением баллона чистым водородом при повышенном давлении, а также с покрытием сплавами на основе золота. Обычно МК, меньшие нормального размера, с вольфрамовым покрытием не изготавливаются из-за их большого сопротивления. [51]
Наиболее низкое суммарное сопротивление в замкнутом состоянии примерно 25 мОм) имеют МК нормального размера с серебряным покрытием и заполнением баллона чистым водородом при повышенном давлении, а также с покрытием сплавами на основе золота. Обычно МК, меньшие нормального размера, с вольфрамовым покрытием не изготавливаются из-за их большого сопротивления. [52]
С) столбчатая структура пересекается поперечными граничными слоями. При низких температурах ( 340 - 400 С) столбчатость исчезает, покрытие состоит исключительно из поперечных слоев с темными включениями. При этом примеси концентрируются на границах зерен, ухудшая качество вольфрамового покрытия. [53]
Хорошая адгезия вольфрамового покрытия на молибденовом катоде достигается, когда покрытие осаждается на рекристаллизованной и травленой поверхности. На механически полированной поверхности адгезия покрытия недостаточна. В работах при создании реактора JTR [19] эти взаимоисключающие обстоятельства были устранены применением двуслойных - вольфрамовых покрытий, полученных по так называемой дуплекс-технологии. [54]
Аналогичная зависимость рельефа металлических карбонильных слоев от температуры существует и для покрытий других металлов. Анализируя морфологию поверхности рениевых покрытий, можно видеть, что отдельные сферические ( каплеподобные) образования, постепенно дробясь, превращаются в многочисленные кристаллы, равномерно разбросанные по всей площади. Ориентировочно этот переход протекает при более низкой температуре ( 700 С), чем в случае вольфрамовых покрытий. [55]
При комнатной температуре волокна были сжаты и матрица не могла расширяться, легко отрываясь от волокон при последующем нагреве, как в электроосажденных образцах. Испытания на термоциклирование проводили на двух горячепрессованных образцах с тремя волокнами ( пламенно-полированные рубиновые волокна с вольфрамовым покрытием и слоем никеля, прессованные в нихроме) по тем же режимам, что и для электроосажденных образцов. [56]
Эта разница может быть настолько большой, что на катоде разряжаются ионы металлов, осаждение которых в чистом виде вообще невозможно из водных растворов. Примером может служить электролитическое получение сплавов вольфрама с никелем, железом и другими металлами, в то время как чисто вольфрамовые покрытия получить не удается. Осаждение сплавов Си-Zn, Аи-Ag, Си-Sn, Fe-Cr и многих других происходит в виде твердых растворов. В тех случаях, когда кристаллизация осаждаемых на катоде металлов происходит раздельно, осаждение сплава начинается только после достижения потенциала выделения более благородного металла. Так происходит осаждение сплавов Си-Аи, Cd-Ag и некоторых других. [57]
Напыляемый металл может подаваться в плазменную струю в виде проволоки или порошка. В табл. 86 приведены, по данным работы [357], а в табл. 87, по данным работы [358], некоторые свойства плазменных молибденовых и вольфрамовых покрытий в зависимости от состояния исходного материала и других факторов. Из данных табл. 86 и 87 видно, что чистота плазменных металлических покрытий и их плотность выше, как и следовало ожидать, в случае использования проволоки. [58]
Плазменное напыление вольфрамовых покрытий проводят в герметичной камере с защитным инертным газом. [59]