Поле - анизотропия
Cтраница 1
 |
Основные этапы развития магнитотвердых материалов. [1] |
Поле анизотропии Яд является одной из характеристик магнитотвер - [ bix материалов, используемой для оценки перспективности материала. [2]
Поле анизотропии Нк зависит от толщины пленки. [3]
Увеличение поля анизотропии Яа снижает эффект размагничивания, но увеличивает токи считывания и записи. На величину Яа влияет состав пленки, температура отжига, механические напряжения. [4]
Измерение поля анизотропии Нк осуществляется следующим образом. Вдоль трудной оси пленки прикладывается переменное поле Нт 2Н %, а по легкой оси - постоянное смещающее поле Нсм, достаточное для обеспечения однодомешюго поведения пленки. Как и в предыдущем случае, фиксируется амплитуда выходного сигнала ФЭУ. Затем переменное поле уменьшается до величины 7 / т, обеспечивающей изменение магнитного момента в пределах 50 % от максимального. [5]
Благодаря полям анизотропии в отдельных кристалликах прецессия и связанный с ней эффект детектирования СВЧ имеют место и в ненамагниченном стержне. [6]
На - поле анизотропии, задающее в решетке выделенное направление. По условию ось г направлена параллельно этому полю. Предполагается, что внешнее магнитное поле отсутствует. [7]
Иногда напряженностью поля анизотропии одноосных ферромагнетиков называют напряженность поля, которую нужно приложить в направлении, перпендикулярном оси легкого намагничивания, чтобы повернуть вектор намагниченности ферромагнетика в этом направлении. [8]
Таким образом, поле анизотропии при определении резонансной частоты ферритового резонатора формально учитывается также, как и размагничивающее поле, введенное при рассмотрении влияния формы резонатора. [9]
Константы анизотропии и поле анизотропии - понятия, относящиеся к математическому способу описания явления магнитокристаллической анизотропии. Физическая причина анизотропии лежит во взаимодействии между спиновыми и орбитальными моментами электронов атомов вещества, а также во взаимодействии орбитальных моментов электронов с электростатическим полем кристаллической решетки. [10]
 |
К объяснению намагничивания тонких пленок. [11] |
Это поле называют полем анизотропии. [12]
 |
Процесс непосредственного зарождения доменов.| Генератор с непосредственным зарождением доменов, использующий пермаллоевые аппликации и контур с током. [13] |
Эпитаксиальные феррит-гранатовые пленки обладают полями анизотропии порядка 103 А / см и менее, поэтому в устройствах на этих материалах успешно можно использовать генераторы с непосредственным зарождением домена. [14]
 |
Поперечные сечения овальной ( а и ограненной ( б проволок. осцилляции Зондгай-мера формируют электроны, дрейфующие вдоль экстремальной хорды d и вдоль хорд излома dt, d2, rf, параллельных н. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5