Cтраница 5
Температурная зависимость намагниченности насыщения Ms показана на рис. 9.2. При создании фильтров, ограничителей мощности и других приборов, в основе которых лежит явление ФМР, анизотропия резонансного поля приводит к необходимости прецизионной ориентировки образцов по заданным кристаллографическим направлениям. Добавки небольших количеств ионов скандия Sc3, индия 1п3 или кобальта Со2, компенсированных четырехвалентными ионам-и, например германием Ge4, в ИЖГ позволяют уменьшить поле анизотропии при комнатной температуре ( х0 003 в формуле УзРе5 - 2 Со / Зе О 2) и получить материал с малоизменяющимся ( термостабильным) полем анизотропии в широком интервале температур. Ширина линии ФМР оптически полированных сферических образцов ИЖГ зависит от температуры ( рис. 9.3) и линейно возрастает с частотой. [61]