Поле - анизотропия
Cтраница 4
Ранее сообщалось, что расстояния между линиями, связанными с определенными типами прецессии, имеют разную величину, когда постоянное поле прикладывается вдоль различных кристаллографических направлений. В теории Уокера не учитывается поле анизотропии. На современном уровне развития теории анизотропию можно учесть, вводя добавочное поле для случаев, когда постоянное поле приложено вдоль одного из главных кристаллографических направлений. Сначала мы производили опыты на сферах, изготовленных методом кувыркания и отполированных как можно более тщательно. При этом было обнаружено, что анизотропия кристалла сказывается на расстояниях между линиями. [46]
 |
Запоминающий элемент на ЦМП. [47] |
Это достигается при небольшой величине поля Ясч, действующего вдоль оси трудного намагничивания. В этом случае повороту вектора намагниченности противодействует поле анизотропии Hk пленки, стремящееся вернуть вектор намагниченности в исходное состояние. При отклонении вектора намагниченности на угол, больший критического ( Ясч велико), информация в элементе разрушается. [48]
 |
Нормальные моды продольного антиферромагнитного резонанса. [49] |
Таким образом, х пропорциональна полю анизотропии. Следо-пательно, необходимым условием возникновения антиферромагнитного резонанса данного типа является наличие поля анизотропии. [50]
Сплавы R ( Co, Fe, Cu) 5 при комнатной температуре являются магнитно-одноосными, при этом направление легкого намагничивания совпадает с гексагональной осью кристаллической решетки. В системе сплавов SmCos - sCUj; в состоянии после отливки константа и поле анизотропии почти не изменяются при изменении х от 0 до 2 5; при х2 5 К и Яа уменьшаются. [51]
При осаждении второго слоя из магнитного высококоэрцитивного материала неоднородность магнитной структуры в двухслойной пленке усредняется по толщине и повышается Нс основного слоя. Выбор материала определяется следующими требованиями: максимальной коэрцитивной силой Нс, минимальным значением поля анизотропии Hh, малой магнитострикцией, отношением кристаллографической анизотропии к одноосной, близким тому же отношению основной пленки. С увеличением толщины второго слоя в пределах 0 - 600 А возрастают значения Нс, Hh и бос двухслойных пленок. [52]
Два устойчивых состояния пленки, обеспечивающие запоминание информации, получают при создании параллельно ее поверхности направления легкого намагничивания. Магнитные свойства пленки характеризуются коэрцитивной силой Нс, соответствующей смещению стенок доменов, и полем анизотропии Hk, эквивалентным внешнему полю, удерживающему вектор намагниченности пленки J в состоянии устойчивого равновесия. При этом если Яс Я Hh, процесс перемагничивания происходит путем смещения стенок доменов. [53]
 |
Модификация доменной структуры ионной имплантацией. [54] |
В заключение заметим, что в зависимости от области применения ферритовых эпитаксиальных пленок проводятся исследования тех или иных их свойств. При использовании пленок в создании СВЧ-устройств основными - характеристиками являются: ширина линии ферромагнитного резонанса, намагниченность насыщения, поле анизотропии, коэрцитивная сила, прямоуголь-ность петли гистерезиса и др. Для устройств оптической записи информации важны такие параметры, как оптическая прозрачность, магнитооптическая добротность, эффект Фарадея, размеры цилиндрических доменов, их подвижность. [55]
В названных работах показано, что кривая резонансного поглощения ц ц ( Я) для поликристаллических ферритов имеет форму, отличную от лоренцевой. Этот факт, подтвержденный экспериментально [3, 4, 6, 7], объясняется тем, что потери, обусловленные поликристалличностью ( приводящей к неоднородности поля анизотропии и намагниченности в феррите), сказываются лишь в ограниченной области магнитных полей. Границы этой области, как показано в [8], определяются частотой переменного магнитного поля и свойствами феррита. Вне этой полосы ( / резко падает и по порядку величины становится сравнимой с ( д для монокристалла. [56]
Ранее было показано, что резонансная частота ферритового резонатора в форме сферы не зависит от намагниченности насыщения. Рассмотрим теперь, как следует ориентировать кристалл, из которого изготовлен сферический резонатор, чтобы исключить влияние на резонансную частоту поля анизотропии. [57]
Температурная зависимость намагниченности насыщения Ms показана на рис. 9.2. При создании фильтров, ограничителей мощности и других приборов, в основе которых лежит явление ФМР, анизотропия резонансного поля приводит к необходимости прецизионной ориентировки образцов по заданным кристаллографическим направлениям. Добавки небольших количеств ионов скандия Sc3, индия 1п3 или кобальта Со2, компенсированных четырехвалентными ионам-и, например германием Ge4, в ИЖГ позволяют уменьшить поле анизотропии при комнатной температуре ( х0 003 в формуле УзРе5 - 2 Со / Зе О 2) и получить материал с малоизменяющимся ( термостабильным) полем анизотропии в широком интервале температур. Ширина линии ФМР оптически полированных сферических образцов ИЖГ зависит от температуры ( рис. 9.3) и линейно возрастает с частотой. [59]
Страницы: 1 2 3 4 5