Поле - анизотропия
Cтраница 3
Зависимости намагниченности насыщения от содержания алюминия и галлия показаны на рис. 9.4. Уменьшение Ms с ростом х в Y-СГа-феррогранате сопровождается увеличением поля анизотропии. Для уменьшения граничной частоты этих материалов необходимо уменьшить Hs. С этой целью в состав вводится In или Sc. [32]
 |
Электрические характеристики исследованных коллоидных частиц. [33] |
Зависимость ( 4) связывает два электрооптических параметра частиц: g - электрическую вращательную подвижность и т - время релаксации наведенной полем анизотропии раствора. Выполнение этой зависимости для частиц разного размера служит доказательством того, что при прочих равных условиях жесткий диполь пропорционален поверхности коллоидной частицы. Зависимость ( 4) хорошо выполняется для группы коллоидов с кристаллическими коллоидными частицами и для группы коллоидных электролитов. [34]
Если, однако, кристалл для ЦМД выращивается в виде пленки то и параметр q становится структурно чувствительным, поскольку при этом поле анизотропии зависит от условий роста и материала подложки. [35]
Y - гиромагнитное отношение ( см. ское отношение), - Мдфф Л Н -, где - J а Нд - поле анизотропии, равное P - W0, вдоль осп легчайшего намагничивания, 3 - константа анизотропии ( см. Магнитная анизотропия); релаксационная константа К, ответственная за поворот магнитного момэнта, пропорциональна Т2 и по порядку величины равна 10s 1 / сек. [36]
Условие перехода от одного типа структуры к другому КЬМ более точно записывается в виде К2кМ % или Нл4кМ0, где НЛ ( 2К) / М0 - поле анизотропии. [37]
Такой результат физически вполне понятен: намагниченность т за счет взаимодействия dmzqz ос mz ( lax 1ау) стремится повернуть векторы 1а и / в плоскости XY, в то время как поле анизотропии НА ос а 6, напротив, старается удержать их в исходном состоянии. [38]
Перемагннчивание однодоменных частиц осуществляется за счет вращения векторд намагниченности, В этом случае петля магнитного гистерезиса частицы в координатах М - Н имеет прямоугольный вид и коэрцитивная сила по намагниченности совпадает по величине с полем анизотропии. [39]
Из других, часто используемых в литературе, существенных для выбора магнитотвердых материалов и достаточно очевидных параметров необходимо упомянуть температуру Кюри ( для ферримагнетиков температуру Нееля), температурные коэффициенты изменения остаточной индукции и коэрцитивной силы, величину поля анизотропии, коэффициенты временной стабильности. [40]
Деймон [5] показал, что при повороте монокристал лического образца происходит смещение кривых зависимости М2 и л от Я0, но форма кривых сохраняется. Поле анизотропии имеет величину порядка нескольких сотен эрстед, что подтверждается и результатами измерений на поликристаллическом образце. [41]
Кривая поля анизотропии Нк в нижней части имеет горизонтальный участок, проходящий через линии, расположенные рядом с нулевой магнитострикцией. [43]
 |
Схематическое изображение одноосно-анизотропной ферромагнитной пленки. [44] |
Следовательно, когда Н возрастает от нуля, ф0 увеличивается, пока Н не достигнет величины HKl после этого М становится параллельной Н и ее направление не меняется при дальнейшем увеличении Я. Как видно, поле анизотропии Нк ( - 3 Э) является минимальной величиной поля, которое необходимо приложить в направлении ТО, чтобы М повернулась от ЛО к ТО; это очень удобный параметр и его обычно используют вместо Ки для характеристики одноосной анизотропии. Вопрос о направлении М для произвольной величины Р рассмотрен в разд. Исследования динамики изменения направления М под действием приложенного внешнего поля показывают, что в полях величиной в несколько эрстед перемена знака М, направленной вдоль ЛО, просходит за время порядка 1 не. Теоретический анализ этого явления, имеющего большое значение при использовании ферромагнитных пленок в качестве элементов памяти, может быть проведен на основе уравнения Ландау - Лифшица [ уравнение ( 14) ] в приближении когерентного вращения. Дальнейшее обсуждение этого вопроса продолжено в разд. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5