Поле - переход
Cтраница 1
Поле перехода отталкивает основные носители ( электроны), протекающие по каналу. При относительно небольшом напряжении, пока канал полностью не перекрыт, заряд по каналу от истока к стоку переносится волновым механизмом; при почти перекрытом канале на самом его узком участке носители, преодолевая барьер, дрейфуют в сторону стока. [1]
В поле перехода неосновные носители приобретают энергию, достаточную для ионизации. Возникают дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход. Этот процесс аналогичен ударной ионизации в газе. Для того чтобы неосновные носители заряда за время движения в поле перехода успели получить достаточную для ионизации энергию, время дрейфа их должно быть достаточно большим. В очень узких переходах ( на низкоомном материале) носители за время дрейфа не успевают приобрести необходимую энергию даже при очень высоких напряженностях. В таких переходах, как правило, возникает туннельный пробой. Резкую границу между рассмотренными разновидностями пробоя провести трудно. Следует, однако, отметить, что в любом случае для обеспечения высокого пробивного напряжения р-ге-переходы следует изготавливать на основе очень чистых полупроводников. [2]
Захват электронов полем перехода уменьшает их концентрацию в приколлекторной области, содействуя тем самым поддержанию направленной диффузии очередных электронов через базу к коллектору. Таким образом, подача прямого напряжения на эмиттерный переход приводит к возникновению коллекторного тока. При этом сопротивление коллекторного перехода постоянному току резко снижается за счет большой концентрации неосновных носителей, проходящих через него. [3]
 |
Спектр ЯМР ( а, ИНДОР-спектры ( б, в и осцилляции Торри ( г в системе АМХ 2 3-дибромпропионовой кислоты ( 188. [4] |
Облучение с помощью поля BZ переходов, связанных с A2, приведет теперь к наблюдению осцилляции, которые называются осцилляциями Торри - по имени их первооткрывателя. В зависимости от типа связи между переходами осцилляции начинаются либо с положительного, либо с отрицательного отклонения пера. Этот метод в особенности полезен при детектировании линий слабой интенсивности. [5]
Метка, используемая в поле перехода инструкции, может быть произвольной вычисленной цепочкой. Такая структура требует динамической таблицы, содержащей метки инструкций и указатели на позиции выполняемых кодов. Поскольку цепочки всегда заносятся в центральную таблицу цепочек, в таблице меток необходимо для каждой метки иметь указатель на элемент в таблице цепочек и указатель на позицию кода. Возможность во время выполнения транслировать в выполняемую форму новые программные элементы, содержащие метки, означает, что таблица меток может расти динамически непредсказуемым образом и поэтому должна располагаться в куче. [6]
Избыточные носители заряда, разогреваемые полем перехода, переходят затем в состояние равновесия с носителями, находящимися по другую сторону обедненного слоя. [8]
Переход на помеченную инструкцию задается в поле перехода, которое расположено в конце инструкции, и отделяется от других ее частей двоеточием. Имеется два типа переходов: условный и безусловный. [9]
Эта ошибка фиксируется, если запись в поле перехода синтаксически неверна. [10]
Lf, с высокой вероятностью попадает в поле перехода и увлекается в коллектор. [12]
Прямой переход - это особая конструкция в поле перехода, позволяющая передать управление прямо на начало блока объектного кода, а не на метку. Вместо круглых скобок в прямом переходе используются угловые. Значением выражения, заключенного в угловые скобки, должен быть код. [13]
Как видно из рисунка, при напряжении лавинного пробоя поле перехода перекрывает высокоомные области п и i. Напряженность электрического поля резко изменяется в пределах запирающего слоя. [14]
 |
Зонная диаграмма контакта полупроводника с металлом, поясняющая возникновение эффекта Пельтье. [15] |
Страницы: 1 2 3 4