Поле - переход
Cтраница 3
Из теории электромагнитного излучения следует, что вероятность перехода на высший уровень с поглощением энергии внешнего магнитного поля равна вероятности стимулированного полем перехода на низший уровень. Далее теория предсказывает, что вероятность спонтанного перехода из состояния с высокой энергией в состояние с низкой энергией в области радиочастот ничтожна. Таким образом, если группа ядер существует в виде двух равнонаселенных спиновых состояний, то вероятности перехода на высший уровень ( поглощение энергии) и на низший ( испускание энергии) одинаковы. Именно этот, очень небольшой, хотя и конечный, избыток ядер на низшем спиновом уровне приводит к наблюдаемому поглощению энергии в радиочастотной области спектра. [31]
Когда К р-п переходу приложено электрическое поле плюсом к р-области и минусом к я-области ( рис. 20, в), то поле р-п перехода компенсируется и ток, протекающий через р-я переход, определяется током основных носителей. Ток, образуемый основными носителями, называют прямым. [32]
В полупроводниковых системах поглощение ионизационного излучения создает в свободной от носителей заряда области пары электрон - дырка, которые перемещаются в зону поля р-п перехода и создают электрический ток. На этом принципе работают полупроводниковые детекторы излучений. Их преимущество состоит в том, что для Образования каждой пары электрон - дырка требуется приблизительно на порядок меньше энергии, чем для образования ионов в газонаполненной ионизационной камере. Поэтому полупроводниковые детекторы обладают на порядок большей чувствительностью. [33]
В полупроводниковых системах поглощение ионизационного излучения создает в свободной от носителей заряда области пары электрон - дырка, которые перемещаются в зону поля р-п перехода и создают электрический ток. На этом принципе работают полупроводниковые детекторы излучений. Их преимущество состоит в том, что для образования каждой пары электрон - дырка требуется приблизительно на порядок меньше энергии, чем для образования ионов в газонаполненной ионизационной камере. Поэтому полупроводниковые детекторы обладают на порядок большей чувствительностью. [34]
Возникновение броска обратного тока обусловлено тем, что избыточные дырки, находящиеся в базе на расстоянии диффузионной длины от перехода, втягиваются полем перехода обратно в р-область. Лишь после того как концентрация дырок в базе достигает своего равновесного значения за счет рекомбинации с электронами и утечки дырок через р-тг-переход, ток спадает до своего установившегося значения, а обратное сопротивление диода восстанавливается до высокого статического значения. [35]
Диффузия носителей через переход становится практически невозможной, поэтому ток / а / диф - / др - др - В этом случае поле р-п перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от потенциального барьера и через переход протекает только ток неосновных носителей: ток дырок из n - области в р-слой и электронов из р-в я-слой. Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [36]
Альтернативный подход, предложенный Линч ем [434], заключается в том, что поверхностный слой должен быть не столь сильно легирован, так что поле перехода в местах закругления оказывается меньше, чем в плоской части перехода ( фиг. [37]
Снижение фото - ЭДС объясняется уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в n - области и дырок в р-области; как следствие этого процесса поле р-п перехода хуже разделяет фотоносители и рост фото - ЭДС при увеличении потока излучения замедляется. [38]
Как видно из (1.65), ток насыщения обусловлен только неосновными носителями, находящимися на расстоянии диффузионной длины от перехода, которые диффундирукхг в переход и перебрасываются через него полем перехода. [39]
Процесс рекомбинации частиц обусловлен тем, что частицы с энергией, недостаточной для преодоления потенциального барьера, проникая на некоторую глубину в запирающий слой, теряют свою скорость в поле перехода и выносятся этим полем обратно. [40]
 |
Зависимость периода полураспада ядер относительно спон. [41] |
База структуры делается узкой ( W () 2 мкм), так что горячие носители заряда пролетают ее практически без столкновений с большой скоростью и, попадая в поле перехода коллектор - база, втягиваются коллектором. [42]
 |
Световые характеристики фотодиода в фотодиодном и фотогальваническом режимах ( / и Ux. [43] |
Снижение фото - ЭДС Ux объясняется уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в n - области и дырок в р-области; как следствие этого процесса, поле р-п перехода хуже разделяет фотоносители и рост фото - ЭДС при увеличении потока излучения замедляется. [44]
Если р - - переход сместить в прямом направлении, приложив напряжение источника, как показано на рис, 14.4, в, то поле источника Ен будет направлено навстречу запирающему полю перехода и обеспечит движение через него основных носителей заряда. Во внешней цепи ток образуется движением электронов, идущих через переход из n - германия в р-германий и далее к положительному зажиму источника; последний компенсирует убыль электронов в п-германии. [45]
Страницы: 1 2 3 4