Поле - переход
Cтраница 4
Фотодиод, может включаться в схему с внешним источником питания ( фотодиодный режим) и без него ( вентильный режим) В фото диодном режиме на p - n - переход диода подается запирающее напряжение, суммирующееся с полем перехода. [46]
В момент времени t t2 первыми вошедшие из эмиттера в базу дырки п компенсирующие их электроны подойдут к коллекторному переходу. Поле перехода втягивает дырки в коллектор, по препятствует переходу электронов. Оставшиеся в базе неравновесные электроны будут уходить через вывод базы во внешнюю цепь. [47]
Порядок выполнения инструкций управляется безусловными переходами, а также переходами по удаче и неудаче. В поле перехода переменные указывают следующую инструкцию, управление на которую будет передано в зависимости от исхода текущей инструкции. [48]
Возможность вычисления любой метки делает эту основную структуру переходов и меток более гибкой. В поле перехода инструкции может быть указано любое выражение, значением которого является цепочка литер. Результатом вычисления этого выражения будет цепочка, являющаяся представлением метки инструкции, на которую нужно передать управление. Поэтому в реализации необходимо предусмотреть динамическую таблицу меток инструкций и связанных с ними адресов кодов. Когда при выполнении встречается переход, вычисленная цепочка отыскивается в этой таблице и выполняется передача управления на соответствующий код. [49]
Быстродействие фотодиода определяется, с одной стороны, процессами разделения носителей, возникающих при поглощении излучения, полем р-п перехода, с другой стороны - емкостью р-п перехода. Разделение фотоносителей полем р-п перехода происходит после того, как соответствующий фотоноситель ( дырка или электрон) из места возникновения ( генерации) продиффун-дирует к р-п переходу. [50]
Быстродействие фотодиода определяется, с одной стороны, процессами разделения носителей, возникающих при поглощении света, полем р-п перехода, с другой стороны - емкостью р-п перехода Сбар. Разделение фотоносителей полем р-п перехода происходит после того, как соответствующий фотоноситель ( дырка или электрон) из места возникновения ( генерации) продиффундирует к р-п переходу. [51]
Область, обедненная основными носителями, имеет повышенное сопротивление я ее обычно называют запорным слоем для основных носителей. На неосновные носители поле р-п перехода оказывает ускоряющее действие. [52]
 |
Устройство ( а и энергетическая диаграмма ( б фотодиода с барьером Шоттки. [53] |
Если энергия фотона hv & Е3, то в кристалле кремния, у его поверхности, наблюдается собственное поглощение. Образовавшиеся электроны дрейфуют в поле перехода, создавая фототок. [54]
 |
Зонная диаграмма p - AUGai - xAs - n - GaAs-гетеро-перехода. [55] |
На рис. 2.10 показана зонная диаграмма p - AUGai xX XAs - n - GaAs гетероперехода. Полное разделение нереализуется вследствие от-тактным полем перехода реализуется вследствие отсутствия разрыва в профиле края валентной зоны ( A. Часть этого излучения с энергией hvEgi поглощается в переходной области и образует электронно-дырочные пары непосредственно в области пространственного заряда. [56]
Дырки, продиффундировавшие через базу, подхватываются полем коллекторного перехода, которое является для них ускоряющим, и втягиваются в коллектор, образуя коллекторный ток / к. Этот процесс втягивания носителей тока полем перехода называется экстракцией. В области контакта коллектора с внешней цепью дырки рекомбинируют с электронами, подходящими из внешней цепи от источника питания Ек. Цепь тока оказывается замкнутой. [57]
Рассмотрим плавный несимметричный p - n - переход ( рис. 7.5), Его особенностью является характерное для неоднородно легированного полупроводника наличие внутреннего электрического поля, обусловленного градиентом концентрации примесей по толщине пластины. Это поле пренебрежимо мало по сравнению с полем перехода и им пренебрегают. [58]
Страницы: 1 2 3 4