Поле - переход
Cтраница 2
При этом электроны из валентной зоны дырочного полупроводника втягиваются полем р-п перехода в зону проводимости электронного полупроводника. [16]
Если у переменной нет признака метки, ее использование в поле перехода является ошибочным. [17]
Для - области базы электроны являются неосновными носителями, и поле перехода Рк увлекает их на другую сторону в коллекторную область. Ток через переход Рк после подачи напряжения ( Ja возрастает, иными словами, обратное сопротивление перехода Рк уменьшится. [18]
 |
Структура ЛФД ( а, распределение концентрации примеси ( б и электрического. [19] |
При выполнении этих условий создаются вторичные пары носителей, разделяемые полем перехода. [20]
 |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [21] |
При этом электрическое поле, создаваемое источником, совпадает с полем р-п перехода. Потенциальный барьер между р - и л-областями возрастает. [22]
Кроме составляющей фото - ЭДС, которая возникает из-за разделения носителей заряда полем р-п перехода или другого потенциального барьера и которая является основной, могут быть и другие составляющие. Одна из них - составляющая, которая называется фото - ЭДС Дембера. [23]
Кроме составляющей фото - ЭДС, которая возникает из-за разделения носителей заряда полем р-п перехода или другого потенциального барьера и которая является основной, могут быть и другие составляющие. Одна из них - составляющая, которая называется фото - ЭДС Дем-бера. [24]
В противном случае из-за полной компенсации поля в переходе разделение оптически генерируемых носителей полем перехода прекращается. [25]
Другими словами, что поперечная и, следовательно, наименьшая масса - получается в направлении поля перехода. [26]
Быстродействие фотодиода определяется, с одной стороны, процессами разделения носителей, возникающих при поглощении излучения, полем р-п перехода, с другой стороны - емкостью р-п перехода. Разделение фотоносителей полем р-п перехода происходит после того, как соответствующий фотоноситель ( дырка или электрон) из места возникновения ( генерации) продиффун-дирует к р-п переходу. [27]
Быстродействие фотодиода определяется, с одной стороны, процессами разделения носителей, возникающих при поглощении света, полем р-п перехода, с другой стороны - емкостью р-п перехода Сбар. Разделение фотоносителей полем р-п перехода происходит после того, как соответствующий фотоноситель ( дырка или электрон) из места возникновения ( генерации) продиффундирует к р-п переходу. [28]
Это связано с тем, что электроны р-облаети, находящиеся на расстоянии диффузионной длины Ln, могут попадать в поле перехода и перебрасываться в / г-область. В результате концентрация неосновных носителей заряда в р-области вблизи перехода снижается. Аналогично дырки n - области могут перебрасываться полем перехода в - область. [29]
Из теории электромагнитного излучения следует, что вероятность перехода на высший уровень с поглощением энергии внешнего магнитного поля равна вероятности стимулированного полем перехода на низший уровень. Далее теория предсказывает, что вероятность спонтанного перехода из состояния с высокой энергией в состояние с низкой энергией в области радиочастот ничтожна. Таким образом, если группа ядер существует в виде двух равнонаселенных спиновых состояний, то вероятности перехода i; i высший уровень ( поглощение энергии) и на низший ( испускание - / нергии) одинаковы. Именно этот, очень небольшой, хотя и конечный, избыток яд р на низшем спиновом уровне приводит к наблюдаемому поглощелию энергии в радиочастотной области спектра. [30]
Страницы: 1 2 3 4