Поле - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Поле кристаллической решетки сильнее всего влияет на внешние электронные оболочки активного иона. Влияние же его на внутренние оболочки электронов в значительной степени ослаблено экранирующим действием внешних электронов. При этом различают три случая. [1]
Одно и то лее поле кристаллической решетки может быть сильным для одного иона, средним для другого и слабым для третьего в зависимости от степени экранирования внутренних оболочек от воздействия внешнего поля. В результате взаимодействия активных ионов с матрицей может изменяться не только энергетическая структура уровней иона, но и вероятности переходов между уровнями, а также соотношения между вероятностями перехода. [2]
Модуляция плоской волны периодическим потенциалом поля кристаллической решетки приводит к изменению плотности вероятности ( стр. [3]
Как указывалось, вокруг дислокаций создается поле искаженной кристаллической решетки. Энергия искажения кристаллической решетки характеризуется так называемым вектором Бюргерса. [4]
Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических: свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов. [5]
 |
Структура энергетических зон полупроводников в зависимости от импульса. [6] |
Сущность рассматриваемого явления заключается в том, что поле кристаллической решетки анизотропно. В результате этого энергия, которую необходимо сообщить электрону, чтобы он приобрел определенную среднюю скорость V ( импульс р - mV), зависит от значения и направления вектора скорости. [7]
На состав и конфигурацию структурных узлов значительное влияние оказывает поле кристаллической решетки. [8]
На движение носителей заряда в полупроводниковых кристаллах существенно влияет поле кристаллической решетки. Под действием внешнего электрического поля одновременно изменяется как кинетическая, так и потенциальная энергия электрона. Поэтому величина энергии, которую нужно сообщить электрону для приобретения им в кристаллической решетке определенной средней скорости v, существенно зависит от величины и направления вектора скорости. [9]
На выбор материала для полупроводникового ОКГ существенно влияют микроструктура поля кристаллической решетки и определяемая ею структура границ энергетических зон. [10]
Выражение для энергии ( VIII, 24) показывает, как влияет поле кристаллической решетки на энергию электрона по сравнению с его энергией в атоме. [11]
Интерес к плазменным эффектам в твердых телах объясняется специфическими особенностями поведения электронов проводимости в поле кристаллической решетки, что позволяет изучать их спектр, кинетические свойства и взаимодействия. Эти сведения важны при изготовлении полупроводниковых и других твердотельных материалов, обладающих наперед заданными свойствами. [12]
Прежде чем изучать движение системы электронов во внешнем периодическом поле решетки, мы рассмотрим движение одного электрона в поле кристаллической решетки В следующих параграфах будет показано, как это решение может быть использовано для исследования всей системы электронов. [13]
Эта модель дает только часть потенциала, зависящую от угла, тем самым описывая возмущение вращательных энергетических уровней за счет анизотропных компонент октаадри эского поля кристаллической решетки. [14]
Если даже подоболочка nl не полностью заполнена, то такое усреднение является физически обоснованным, пока не учитываются внешние поля или, скажем, поле кристаллической решетки. [15]
Страницы: 1 2 3 4