Поле - кристаллическая решетка
Cтраница 3
Как показал анализ спектров, небольшое увеличение частот колебаний величиной около 1000 см-1 наблюдается в спектрах соединений, содержащих циклопропановый радикал или сопряженную с фенильным кольцом двойную связь, а также в спектре кристалла ВТМ этилбензола. Последнее, по-видимому, связано с искажением формы молекулы в поле кристаллической решетки. На основании перечисленных свойств и сопоставления с данными расчетов можно предположить, что одно из этих колебаний ( - 975 см 1), вероятно, является полносимметричной частью расщепления дважды вырожденного бензольного колебания 18.1 и. Вопрос о происхождении колебания - 1010 см-1 пока не решен. [31]
Из общих недостатков книги следует отметить полное игнорирование авторами теории групп и соображений симметрии. В частности, следует отметить вопрос о поведении уровней в электри-ческ ом поле кристаллической решетки и о спиновом вырождении атомов с нечетным числом электронов ( теорема Крамерса) - задачи, которые без теории групп решаются весьма сложно, а при ее применении оказываются почти тривиальными. [32]
Представляет выход электрона из поверхности металла за счет сил электрического поля. При соответствующих напряженностях электрического поля вблизи металлической поверхности воздействующие на свободный электрон электрические силы могут стать таким, что он будет в состоянии преодолеть потенциальный барьер и выйти за пределы поля кристаллической решетки. [33]
Концентрация носителей тока в полупроводниках в очень сильной степени зависит от наличия примесей. При введении в четырехвалентный германий Ge или кремний Si элементов пятой группы периодической системы Д. И. Менделеева ( As, Sb, P и др.) пятый электрон внешней оболочки примесного атома не участвует в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами Ge и ведет себя как свободный электрон в поле кристаллической решетки. При введении же элементов третьей группы ( В, Al, Ga, In и др.), которые входят в Ge как примеси замещения, в соответствующем узле решетки для насыщения четырех ковалентных связей нехватает одного электрона. [34]
Сильное кристаллическое поле наблюдается у парамагнитных центров, сильно связанных с окружающими ионами, когда химическая связь носит скорее не ионный, а ковалентный характер. Такая связь проявляется в основном при использовании парамагнитных ионов с незастроенными 4d - и 5й - оболочками и изредка для ионов группы железа. Возмущение поля кристаллической решетки в этом случае имеет порядок значения энергии взаимодействия электронов друг с другом. [35]
Этот случай наблюдается у парамагнитных центров, сильно связанных с окружающими ионами, когда химическая связь носит скорее не ионный, а ковалентный характер. Такая связь проявляется в основном при использовании парамагнитных ионов с незастроенными 4d - и Sd-оболочками и изредка - ионов группы железа. Возмущение поля кристаллической решетки в этом случае имеет порядок величины энергии взаимодействия электронов друг с другом. [36]
Кристаллической является фаза, атомы которой образуют строгий дальний порядок, характеризующий внутреннюю и внешнюю симметрию кристалла. Он является следствием периодичности поля кристаллической решетки, распределения электронной плотности и ядер атомов в объеме кристалла. Устойчивые структурные формы подчиняются требованиям минимума свободной энергии. Механическая прочность-удельной свободной поверхностной энергией. [37]
Кристаллической является фаза, атомы которой образуют строгий дальний порядок, характеризующий внутреннюю и внешнюю симметрию кристалла. Он является следствием периодичности поля кристаллической решетки, распределения электронной плотности и ядер атомов в объеме кристалла. Устойчивые структурные формы подчиняются требованиям минимума свободной энергии. Энергетическая прочность кристалла характеризуется энергией решетки ( ионный кристалл) или энергией атомизации ( атомный кристалл), механическая прочность - удельной свободной поверхностной энергией ( см. гл. [38]
 |
Типичный одноэлектроппый спектр энергии металлов ( полосы заштрихованы. [39] |
Такой скачок и соответствует области запрещенных значений энергии. Значения k, при которых функция E ( k) терпит разрыв, определяются типом решетки. В теории Блоха рассматривается уравнение Шредипгера для одного электрона в поле кристаллической решетки. [40]
Из формулы (68.2) легко понять, что термоэдс должна быть пропорциональна разности квадратов температур спаев Т - Т Тогда а пропорционально Т Тг. Так и получается в модели Зом-мерфельда. Однако в действительности электроны не свободны, а движутся в поле кристаллической решетки. [41]
Квадрупольные эффекты пропорциональны градиенту электрического поля. В чисто ионном состоянии, при сферической симметрии электронной плотности на ядре, квадрупольные эффекты от собственной электронной оболочки равны нулю. Градиент электрического поля на ядре в этом случае отражает градиент поля кристаллической решетки. В случае же ковалентной связи градиент поля и квадрупольное расщепление сигнала ядерного резонанса обусловлены симметрией электронной плотности валентных электронов, участвующих в ковалентной связи с лигандами, и симметрия квадрупольных эффектов может не совпадать с симметрией кристалла. [42]
 |
Спектр излучения / п38Ю4 - Мп-фосфора при катодном возбуждении. Форма кривой но зависит от интенсивности возбуждения ( от до 0 25 вт / см. [43] |
Элементы, принадлежащие к группе редких земель, введенные в качестве активаторов, кроме широкого фона излучения, дают большей частью характерные узкие полосы, распадающиеся на несколько групп. Тяжелые металлы дают широкие полосы излучения, которые не удается разрешить на отдельные компоненты даже при понижении температуры и при применении спектральной аппаратуры высокой разрешающей силы. Размытие полос и их непрерывность вызываются, повидимому, сильным действием поля кристаллической решетки на излучатель. Так, например, цинк и серебро в цинксуль-фидных фосфорах дают голубое свечение, медь-зеленое, марганец-оранжевое. Спектр самариевого свечения состоит из трех групп узких полос, лежащих в зеленой, желтой и оранжевой частях спектра. Оранжевая полоса марганца и характерный линейчатый спектр самария обнаруживаются в свечении и после замены основания-сернистого цинка-на основание из сернистых щелочноземельных металлов. Это делает несомненным ближайшее участие активатора в излучении. Однако в силикатных фосфорах основная полоса свечения Мп лежит в зеленой области, что связано с особым положением Мп в решетке силикатов. Представляется почти несомненным, что конечный этап процесса излучения протекает в непосредственной близости от активатора. На рис. 170, 171 и 172 приведены различные типы кривых распределения энергии в спектрах излучения фосфоров. [44]
Эта ширина обычно обозначается через 1 / Т2, где Т2 является неоднородным временем жизни. В твердом теле неоднородное уширение является, как правило, результатом флуктуации поля кристаллической решетки, которое действует на различные атомы по-разному. В газе неоднородное уширение возникает благодаря различным доплеровским сдвигам, отвечающим атомам, движущимися с различными скоростями. [45]
Страницы: 1 2 3 4