Поле - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Дьюэн еще в 1923 г. показал, что соотношение, тождественное соотношению де Бройля, может быть получено при рассмотрении с точки зрения теории Бора - Зоммерфельда движения электрона в периодическом поле, например поле кристаллической решетки. [16]
Иногда комплексные ионы имеют форму, не подчиняющуюся ряду кристаллографических чисел ( например, существуют ионы [ TaF7 ] -, [ NbF7P -, [ ZrF7 ] - и др.), если только поле кристаллической решетки не перестроит структуру. [17]
В спектре кремнефторида натрия ( рис. П-49) обнаружено расщепление полосы, относящейся к деформационным колебаниям иона SiFg - -, на три компоненты, которое можно объяснить понижением симметрии иона SiFe - под действием поля кристаллической решетки. [18]
С другой стороны, нами подвергнуты критике также отдельные попытки специалистов квантовой химии непосредственного перенесения в область строения кристаллов тех выводов, которые имеют прямое отношение, собственно, к строению молекул, тогда как в кристалле большую роль при распределении валентных сил играет поле кристаллической решетки. [19]
Рентгенографические структурные и другие исследования показали, что действительно все периферические ионы координационной сферы независимо от того, присоединены ли они за счет главной или за счет побочной валентности, удерживаются центральным ионом с одинаковой силой и на одинаковых расстояниях даже в твердых телах под воздействием поля кристаллической решетки. [20]
Рентгенографические, структурные и другие исследования показали что действительно все периферические ноны координационной сферы независимо от того, присоединены ли они за счет главной пли за счет побочной валентности, удерживаются центральным ионом с одинаковой силой и на одинаковых расстояниях, даже в твердых телах под воздействием поля кристаллической решетки. Так, ион [ PtClj ] 2 имеет форму правильного октаэдра ( рис. IV. [21]
 |
Зависимость энтальпии образования от ступени окисления переходного элемента в системах. [22] |
Как известно, одна из важных закономерностей термохимии ненасыщенных соединений переходных металлов - двугорбая форма зависимости энтальпий атомн-зации, например, соединений типа МО, МС12 и др. от порядковых номеров ( в пределах серии Sd-элементов) - объяснялась многими авторами с позиций теории кристаллического поля на основе представления о так называемой экстрастабилизации, якобы имеющей место за счет расщепления rf - уровней в поле кристаллической решетки. [23]
Энергетические уровни ионов, вводимых в кристаллическую решетку в качестве активаторов, значительно отличаются от уровней энергии свободных ионов. Под действием поля кристаллической решетки происходит расщепление, смещение и уширение уровней ионов. На рис. 33.40 показаны энергетические уровни двухвалентных ионов редкоземельных элементов, актиноидов и элементов группы железа, а на рис. 33.42 и 33.43 уровни трехвалентных ионов редкоземельных элементов. [24]
Среднее кристаллическое поле соответствует ионному типу связи и наблюдается для элементов группы железа с недостроенной Srf-оболочкой. Возмущающее действие поля кристаллической решетки здесь больше величины спин-орбитального взаимодействия электронов, и поэтому здесь возникает большой сдвиг уровней энергии ионов, находящихся в кристалле по сравнению со свободными ионами. Уровни энергии могут быть значительно уширены. По этой причине элементы группы железа используются как эффективные сенсибилизаторы. Наличие широких полос люминесценции открывает также возможность создания лазеров с плавно перестраиваемой длиной волны генерации. [25]
Энергетические у-ровни ионов, вводимых в кристаллическую решетку в качестве активаторов, значительно отличаются от уровней энергии свободных ионов. Под действием поля кристаллической решетки происходит расщепление, смещение и уширение уровней ионов. На рис. 33.40 показаны энергетические уровни двухвалентных ионов редкоземельных элементов, актиноидов и элементов группы железа, а на рис. 33.42 и 33.43 уровни трехвалентных ионов редкоземельных элементов. [26]
В кристаллах орбитальные моменты электронов в значительной степени скомпенсированы действием электростатического поля кристаллической решетки, и их вклад в полный момент М атома или молекулы невелик. Поскольку спин не имеет электрического момента, поле кристаллической решетки незначительно влияет на спины, и поэтому полный магнитный момент можно оценить суммой спиновых магнитных моментов отдельных электронов. В атомах, ионах и молекулах с целиком заполненными электронными оболочками спины скомпенсированы, момент М 0, и такие вещества являются диамагнитными. Устойчивый парамагнетизм наблюдается в веществах, обладающих частично заполненными внутренними электронными оболочками с нескомпенсированными спинами: в никеле, в кобальте, в хроме, в группе редкоземельных элементов. [27]
Более того, опыты с монокристаллами алюминия [2 ] показали, что коэффициент а зависит от ориентации вектора q относительно осей кристалла. Это означает, что здесь сказывается влияние поля кристаллической решетки на закон дисперсии плазмона и, чтобы добиться количественного согласия с опытом, теория должна принять этот эффект во внимание. [28]
Долгое время считалось, что основным объектом физики полупроводников является массивный монокристалл. Именно свойственный монокристаллу дальний порядок позволял построить теорию поля кристаллической решетки, удовлетворительно объясняющую свойства полупроводников. [29]
Центральный атом А такой молекулы, как, например, АХ7, может иметь координационное число, не относящееся к ряду кристаллографических чисел, в данном случае 7 ( например, таково строение ионов TaFj. NbF; ZrF - j), если только поле кристаллической решетки не перестроит существенным образом структуру отдельных узлов. [30]
Страницы: 1 2 3 4