Поле - кристаллическая решетка
Cтраница 4
В узлах кристаллической решетки металла находятся положительно заряженные ионы. В результате их взаимодействия с полярными молекулами растворителя они отрываются от кристалла и переходят в раствор. Параллельно происходит противоположный процесс перехода ионов из раствора в металл под влиянием поля кристаллической решетки. Раствор приобретает положительный заряд. Положительно заряженные ионы не удаляются от поверхности металла, а вследствие электростатических взаимодействий скапливаются у поверхности. В результате образуется двойной электрический слой, который можно представить себе в виде конденсатора, отрицательная обкладка которого образована металлом ( избыточными электронами), а положительная - слоем катионов в растворе, прилегающим к металлу. Между разноименно заряженными обкладками возникает скачок потенциала. Если в начальный момент скорость перехода ионов в раствор vi меньше скорости перехода ионов из раствора в металл vz, то поверхность металла зарядится положительно, и отрицательно заряженные ионы притянутся к поверхности металла, создавая избыток отрицательных зарядов. [46]
Дырка ведет себя подобно положительно заряженному электрону, это для нас новая квазичастица в кристалле, она характеризуется своей эффективной массой. Ясно, что введение дырок и соответственно дырочной проводимости не означает их реального существования. Такое представление - удобный способ описания электронной системы, которая при определенных условиях под влиянием поля кристаллической решетки столь кардинально меняет свое поведение, что оно становитсяя аналогичным по характеру своего движения поведению системы положительно заряженных частиц - дырок. [47]
 |
Микрофотограмма спектров поглощения ZnS Cu-фосфора, содержащего 10 - 4 ( / и 10 - 3 ( 2 г меди на 1 г основы.| Спектры поглощения пленок Nal-Tl - фосфора. [48] |
Аналогичный эффект наблюдается при наличии активатора в кристаллической решетке. Из представлений зонной теории непосредственно следует, что полоса поглощения активатора должна быть всегда смещена в сторону больших длин волн по сравнению с фундаментальной полосой. Спектр поглощения электрона, локализованного на активаторе, как и в предыдущем случае, должен состоять из серии линий, но в силу воздействия окружающего поля кристаллической решетки основы он всегда имеет размытый вид, иногда с достаточно четко выраженной структурой. [49]
Аналогичный эффект наблюдается при наличии активатора в кристаллической решетке. Из представлений зонной теории непосредственно следует, что полоса поглощения активатора должна быть всегда смещена в сторону больших длин волн по сравнению с фундаментальной полосой. Спектр поглощения электрона, локализованного на активаторе, как и в предыдущем случае, должен состоять из серии линий, но в силу воздействия окружающего поля кристаллической решетки основы он всегда имеет размытый вид, иногда с достаточно четко выраженной структурой. Наличие узких полос в спектре поглощения активатора обычно свидетельствует о том, что мы имеем дело не с кристаллофосфором, а с дискретным центром, свечение которого слабо связано с окружающей средой. Интенсивность полосы поглощения активатора всегда меньше интенсивности фундаментальной полосы, что вызвано их меньшей концентрацией в кристаллической решетке. Спектры поглощения активаторов могут быть экспериментально наблюдаемы при сравнении спектров поглощения активированных и неактивированных кристаллов. [50]
Электроны поступают в газоразрядный столб за счет термоэлектронной и автоэлектронной эмиссии с катода. Согласно существующим воззрениям в металле создано поле положительными ионами, образующими кристаллическую решетку. Потенциал этого поля положительный и за пределы поверхности металла не распространяется. В поле кристаллической решетки находятся свободные электроны. [51]
Дике и Дункан интерпретировали как ь частоты 109 и 118 см - вместо обычной 210 см-1. Кроме того, для частоты 210 см-1 не обнаруживаете изотопического эффекта кислорода, а поляризация линий, которые являются следствием возбуждения этих колебаний, зависит от кристаллической структуры. Но эта интерпретация несовместима с тем фактом, что на колебания с частотой 210 см-1 не влияет изменение числа молекул воды в ряду. В самом деле, на деформационные колебания сильное влияние может оказывать поле кристаллической решетки, поскольку энергия сильного электрического поля решетки уранила должна значительно меняться с изменением угла между связями U-О иона, уранила. [52]
Доказательством этого служит отсутствие подобного явления в парах серы; Крг - и Крж-линии появляются одновременно лишь для атомов серы в твердом состоянии. В то же время, как это показали рентгеноструктурные исследования, в обоих случаях атомы образуют группы S8, которые в первом случае беспорядочно располагаются в пространстве, а в твердом теле занимают места в узлах молекулярной решетки. В атоме серы уровень 3s полностью заполнен электронами, уровень Зр заполнен частично, а уровень 3d совсем не имеет электронов. Поэтому в кристаллической решетке элементарной серы и ее соединений Ss-полоса уровней энергии должна быть заполнена целиком, Зр-полоса занята электронами полностью или частично в зависимости от степени металлизации связи в соединении, а Зй-полоса пустая. Учитывая, что 3s - ls - переход в атоме является запрещенным, а 3d - ls - переход ( квадруполь-ный) - невозможным ввиду отсутствия в Зй-полосе решетки соответствующих электронов, можно допустить ( как это впервые сделал Фогель), что появление двух линий в Кр-группе рентгеновского спектра серы и некоторых ее соединений объясняется расщеплением в поле кристаллической решетки вещества Зр-энергетической полосы атомов серы. Ниже, при обсуждении некоторых вопросов, связанных со структурой рентгеновских краев поглощения серы и других сравнительно легко поляризующихся анионов, показано, что эта замечательная особенность строения Зр-полосы атомов серы в некоторых соединениях может быть установлена также иным путем, при анализе экспериментального материала, относящегося к структуре рентгеновских спектров поглощения атомов этого элемента. [53]
Изучение спектров поглощения и излучения люминофоров показывает, что в ряде случаев эти Спектры специфичны для данного активатора и могут быть приписаны электронным переходам между энергетическими уровнями, принадлежащими атому или иону активатора. Условием ее осуществления [65] является достаточно малое расстояние между соответствующими возбужденными и основным уровнями атома активатора, чтобы энергия кванта излучаемого света была меньше ширины запрещенной полосы кристалла, так как только в этом случае свет не будет поглощаться основанием люминофора. I, возникновение такого рода центров происходит при активации тяжелыми металлами, атомы которых обладают сближенными термами. В то же время следует иметь в виду, что поле кристаллической решетки и в особенности ближайшее окружение влияют на взаимное расположение уровней. Они влияют также на величину стоксова смещения и на вероятности электронных переходов. Изучение этого влияния составляет одну из главных задач спектроскопии люминесцирующих кристаллов. [54]
Страницы: 1 2 3 4