Cтраница 1
Истинное поле в системе должно удовлетворять на границе раздела областей следующим условиям ( [27], стр. [1]
Истинное поле в диэлектрике, измеряемое, например, при помощи пробного тела, можно представить себе как поле зарядов, которые создали бы в вакууме такое же поле, какое они создают в данном диэлектрике. Эти заряды называются свободными. [2]
Истинное поле определяется наложением полей перврго и второго токов. [3]
Истинное поле скоростей деформации должны характеризовать определенные экстремальные свойства состояния тела перед разрушением. [4]
Из всех равновесных полей истинное поле напряжений должно удовлетворять также и третьему уравнению системы (4.17) - уравнению совместности деформаций. [5]
Из всех равновесных полей истинное поле напряжений должно удовлетворять также и третьему уравнению системы (4.17) - уравнению совместности деформаций. [6]
Данный принцип устанавливает минимальные свойства истинного поля скоростей перемещений по сравнению со всеми кинематически возможными полями. Принцип минимума полной мощности в теории ползучести аналогичен принципу минимума полной энергии в теории упругопластических деформаций. [7]
Ее диаметр в мм является истинным полем зрения. [8]
В соответствии с принципом возможных перемещений истинное поле перемещений сообщает минимум потенциальной энергии системы. [9]
Напряженность поля в диэлектрике Е получается усреднением истинного поля по бесконечно малому объему. Истинное ( микроскопическое) поле в диэлектрике сильно меняется в пределах межмолекулярных расстоянии. [10]
Гауссовское распределение (5.6.22) часто представляет собой приближение к истинному полю на плоскости z 0 на расстояниях р, не превышающих некоторого значения р - а. Если а значительно больше, чем WQ, то эффект использования приближения поля на плоскости z 0 полным гауссовским распределением является, как правило, пренебрежимо малым при определении поля во всем полупространстве z О, в котором распространяется луч. [11]
Приближенность изложенной простейшей теории искусственного диэлектрика объясняется неучетом отличия истинного поля Е, действующего на диполь, от среднего поля Е в диэлектрике за счет взаимного влияния частиц. [12]
Чтобы оценить точность построения поля данным способом, не нужно знать истинное поле, относительно которого определяется точность. Используется спектр частот признака, который находится по фактическим замерам признака и с некоторой достоверностью характеризует изменчивость поля. Точность воспроизведения поля связана с ограничением количества высокочастотных составляющих в спектре частот. [13]
Использование других упомянутых групп уравнений позволяет выделить из всех статически возможных истинное поле напряжений. [14]
О и вне его, а Я (, отлично от истинного поля Я. [15]